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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種寬帶高隔離度單刀五置開關獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116743145B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310215797.6，技術領域涉及：H03K17/693；該發明授權一種寬帶高隔離度單刀五置開關是由劉馬良;魏雨薇;陳亦飛;謝慧全;王天瑞;王子彧設計研發完成，并于2023-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種寬帶高隔離度單刀五置開關在說明書摘要公布了：本發明涉及一種寬帶高隔離度單刀五置開關，第一至第五開關并聯形成五路通道電路；射頻輸入信號經過第一電感后輸入至五路通道電路中；其中，每路通道電路均包括：第二電感、第三電感、第一堆疊MOS管、第二堆疊MOS管、第三堆疊MOS管和第四堆疊MOS管；第一堆疊MOS管、第二電感、第三電感和第四堆疊MOS管依次串聯，第二堆疊MOS管連接在第二電感的第二端與接地端之間，第三堆疊MOS管連接在第三電感的第二端與接地端之間；通過控制第一堆疊MOS管、第二堆疊MOS管、第三堆疊MOS管和第四堆疊MOS管的柵控制電壓和襯底控制電壓實現通道電路的導通和關斷。本發明通過電感頻率補償結構補償寄生電容對帶寬的影響，具有插入損耗小、帶寬高和隔離度高和的特性。

本發明授權一種寬帶高隔離度單刀五置開關在權利要求書中公布了：1.一種寬帶高隔離度單刀五置開關，其特征在于，包括：第一電感L1、第一開關CH1、第二開關CH2、第三開關CH3、第四開關CH4和第五開關CH5； 所述第一電感L1的第一端作為射頻信號的輸入端輸入射頻輸入信號RFIN； 所述第一開關CH1、所述第二開關CH2、所述第三開關CH3、所述第四開關CH4和所述第五開關CH5并聯形成的五路通道電路； 所述第一電感L1的第二端分別連接每路通道電路的輸入端； 其中，每路通道電路均包括：第二電感L2、第三電感L3、第一堆疊MOS管MS1、第二堆疊MOS管MS2、第三堆疊MOS管MS3和第四堆疊MOS管MS4； 所述第一堆疊MOS管MS1、所述第二電感L2、所述第三電感L3和所述第四堆疊MOS管MS4依次串聯，所述第二堆疊MOS管MS2連接在所述第二電感L2的第二端與接地端之間，所述第三堆疊MOS管MS3連接在所述第三電感L3的第二端與接地端之間； 所述第一堆疊MOS管MS1的第一端作為通道電路的輸入端連接所述第一電感L1的第二端，所述第四堆疊MOS管MS4的第二端作為通道電路的輸出端輸出射頻輸出信號； 通過控制所述第一堆疊MOS管MS1、所述第二堆疊MOS管MS2、所述第三堆疊MOS管MS3和所述第四堆疊MOS管MS4的柵控制電壓和襯底控制電壓實現通道電路的導通和關斷。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。