杭州富芯半導體有限公司許行健獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利一種硅片外吸雜方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116206950B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310209362.0，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種硅片外吸雜方法是由許行健設計研發完成，并于2023-03-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅片外吸雜方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種硅片外吸雜方法，所述方法包括：獲得第一硅片，所述第一硅片是通過對初始硅片進行第一預處理操作得到的；在所述第一硅片的背面沉積預設材料，使所述第一硅片的背面產生薄膜；對背面產生薄膜的第一硅片進行第二預處理操作，得到第二硅片，其中，所述第二預處理操作包括熱處理，所述熱處理用于通過薄膜應力誘發所述第一硅片出現層錯形成吸雜中心；去除所述第二硅片的所述薄膜；對去除所述薄膜的第二硅片進行拋光處理。應用本方法在對硅片進行預處理操作后引入外吸雜工藝，使得硅片在實現高平坦度的同時具有外吸雜能力，并在引入吸雜中心后去掉薄膜，釋放應力，可以減少硅片的翹曲。
本發明授權一種硅片外吸雜方法在權利要求書中公布了：1.一種硅片外吸雜方法，其特征在于，所述方法包括： 獲得第一硅片，所述第一硅片是通過對初始硅片進行第一預處理操作得到的； 在所述第一硅片的背面沉積預設材料，使所述第一硅片的背面產生薄膜； 對背面產生薄膜的第一硅片進行第二預處理操作，得到第二硅片，其中，所述第二預處理操作包括熱處理，所述熱處理用于通過薄膜應力誘發所述第一硅片出現層錯形成吸雜中心； 去除所述第二硅片的所述薄膜； 對去除所述薄膜的第二硅片進行拋光處理。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：310051 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號1-1301；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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