江西兆馳半導體有限公司張彩霞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115954422B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310124123.5，技術領域涉及：H10H20/815；該發明授權發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管是由張彩霞;印從飛;程金連;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2023-02-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管，涉及半導體光電器件領域。發光二極管外延片包括襯底和依次生長于所述襯底上的形核層、本征GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層和P型GaN層；所述有源層為周期性結構，每個周期均包括依次層疊的勢阱層、過渡層和勢壘層；所述過渡層包括WS2層。實施本發明，可提升發光二極管的發光效率、抗靜電能力和波長均勻性。
本發明授權發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括襯底和依次生長于所述襯底上的形核層、本征GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層和P型GaN層；所述有源層為周期性結構，其周期數≥2；每個周期均包括依次層疊的勢阱層、過渡層和勢壘層；所述過渡層包括WS2層，所述勢阱層為InyGa1-yN層，y為0.1～0.5，所述勢壘層為GaN層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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