買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉晶元光電股份有限公司申請的專利發光元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497311B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210008926.X，技術領域涉及：H10H20/832；該發明授權發光元件是由林羿宏;陳昭興;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陳冠吾設計研發完成，并于2018-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光元件在說明書摘要公布了：本發明公開一種發光元件，包含一半導體結構，包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位于第一半導體層和第二半導體層之間；一環繞部，圍繞半導體結構，且露出第一半導體層的一第一表面；一透明導電層形成于第二半導體層的一表面上；一絕緣結構，包含一布拉格反射鏡DBR結構，形成于第一半導體層的第一表面并覆蓋第二半導體層的表面，包含一第一開口以及一第二開口；一第一電極，形成在環繞部上及第二半導體層上；以及一第二電極，形成在第二半導體層上；其中第一電極和第二電極分別包括包括鉑Pt的一打線層以與焊料相接觸，第一電極和第二電極相隔一距離小于50微米。

本發明授權發光元件在權利要求書中公布了：1.一種發光元件，其特征在于，包含： 半導體結構，包含第一半導體層，第二半導體層，及活性層位于該第一半導體層和該第二半導體層之間； 通孔，穿過該第二半導體層和該活性層，且露出該第一半導體層的第一表面； 透明導電層，形成于該第二半導體層的第二表面上； 絕緣結構，包含布拉格反射鏡DBR結構，且至少包括一第一絕緣結構和一第三絕緣結構，該第一絕緣結構形成于該第一半導體層的該第一表面并覆蓋該第二半導體層的該第二表面，包含第一絕緣結構第一開口形成在該通孔上以及第一絕緣結構第二開口形成在該第二半導體層的第二表面上； 第一電極，形成在該通孔上及該第二半導體層上； 第二電極，形成在該透明導電層上，其中該第一電極和該第二電極互不重疊且相隔一距離小于50微米；以及 該第三絕緣結構形成于該第一電極和該第二電極上，并具有露出部分該第一電極的第三絕緣結構第一開口以及露出部分該第二電極的第三絕緣結構第二開口， 第二薄焊墊，形成在該第三絕緣結構第二開口中，其中該第二薄焊墊包含一上表面未被該第三絕緣結構所覆蓋且低于該第三絕緣結構的一上表面，且該第二薄焊墊具有一厚度小于該第三絕緣結構的一厚度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶元光電股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。