舜宇奧來半導體光電(上海)有限公司沈健獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉舜宇奧來半導體光電(上海)有限公司申請的專利改善鬼像的光機結構及其制作方法、顯示波導裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115993725B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310129563.X,技術領域涉及:G02B27/01;該發明授權改善鬼像的光機結構及其制作方法、顯示波導裝置是由沈健;蘭順;陳遠設計研發完成,并于2023-02-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善鬼像的光機結構及其制作方法、顯示波導裝置在說明書摘要公布了:本發明提供了一種改善鬼像的光機結構及其制作方法、顯示波導裝置。改善鬼像的光機結構包括:顯示面板,顯示面板上設置有多個像素,多個像素之間存在間隙;填充層,填充層設置在顯示面板具有多個像素的一側表面上,且僅多個像素之間的間隙處填充設置有填充層,填充層至少包括反射層和吸光層。本發明解決了現有技術中的光機結構存在鬼像改善困難的問題。
本發明授權改善鬼像的光機結構及其制作方法、顯示波導裝置在權利要求書中公布了:1.一種改善鬼像的光機結構的制作方法,其特征在于,所述光機結構包括顯示面板(10)和填充層,所述顯示面板(10)上設置有多個像素(20),多個所述像素(20)之間存在間隙;所述填充層設置在所述顯示面板(10)具有多個所述像素(20)的一側表面上,且僅多個所述像素(20)之間的間隙處填充設置有所述填充層,所述填充層至少包括反射層(31)和吸光層(32);所述制作方法包括: 步驟S1:獲取所述光機結構的多個所述像素(20)的發光波長范圍; 步驟S2:根據多個所述像素(20)的發光波長范圍獲取與之匹配的所述吸光層(32)的材料; 步驟S3:獲取所述光機結構的所述顯示面板(10),根據所述顯示面板(10)上的多個所述像素(20)的高度、多個所述像素(20)之間的間隙大小和多個所述像素(20)與所述顯示面板(10)的邊緣的尺寸得到所述反射層(31)的尺寸; 步驟S4:采用沉積或者涂布的圖形化工藝在所述顯示面板(10)具有所述像素(20)的一側表面上生成所述反射層(31); 步驟S5:采用沉積或者涂布的圖形化工藝在所述反射層(31)遠離所述顯示面板(10)的一側表面上生成所述吸光層(32)。
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