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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116230821B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310066474.5，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法是由鄭文杰;程龍;高虹;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2023-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種發光二極管外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種發光二極管外延片及其制備方法，外延片包括：依次層疊的襯底、低溫GaN緩沖層、未摻雜的高溫GaN緩沖層、n型GaN層、發光層、電子阻擋層、p型GaN層、p型接觸層；發光層由第一多量子阱壘層、n型隔離層、應力補償層、第二多量子阱壘層、p型隔離層、第三多量子阱壘層依次層疊組成；第一多量子阱壘層的各壘層中In組分的含量均沿外延生長方向由大到小線性漸變、Al組分的含量均沿外延生長方向由小到大線性漸變，第二多量子阱壘層的各壘層中In組分的含量均沿外延生長方向由小到大線性漸變、Al組分的含量均沿外延生長方向由大到小線性漸變。

本發明授權一種發光二極管外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括： 依次層疊的襯底、低溫GaN緩沖層、未摻雜的高溫GaN緩沖層、n型GaN層、發光層、電子阻擋層、p型GaN層、p型接觸層； 所述發光層由第一多量子阱壘層、n型隔離層、應力補償層、第二多量子阱壘層、p型隔離層、第三多量子阱壘層依次層疊組成； 所述第一多量子阱壘層的各壘層中In組分的含量均沿外延生長方向由大到小線性漸變，所述第二多量子阱壘層的各壘層中In組分的含量均沿外延生長方向由小到大線性漸變； 所述第一多量子阱壘層的各壘層中Al組分的含量均沿外延生長方向由小到大線性漸變，所述第二多量子阱壘層的各壘層中Al組分的含量均沿外延生長方向由大到小線性漸變； 所述第一多量子阱壘層、第二多量子阱壘層和第三多量子阱壘層的各阱層均在N2氣氛下生長而成，所述第一多量子阱壘層、第二多量子阱壘層和第三多量子阱壘層的各壘層均在H2氣氛下生長而成，發光層中的阱層均為氮極性，壘層均為鎵極性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330096 江西省南昌市高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。