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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所;泉州裝備制造研究所;貴陽航空電機有限公司申請的專利一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115795863B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211512120.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/20；該發(fā)明授權(quán)一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法是由于大偉;施振川;宋秀毅;寧雪梅;曾錚;解偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法，其采用“整體原型?分段模擬?分解計算?重整計算”的方法流程，將電機整體原型分解為前端部繞組發(fā)射空間、后端部繞組發(fā)射空間、主體繞組發(fā)射空間三段模擬空間，按各段模擬空間分別模擬計算出高頻阻抗的電阻、電感和電容參數(shù)，然后采用多導(dǎo)體分解計算模型分別獲得各段模擬空間的單導(dǎo)體高頻阻抗的電阻、電感和電容參數(shù)，最后根據(jù)高頻阻抗外部繞組連接模型重整計算多匝繞組高頻阻抗的電阻、電感和電容參數(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法不僅能快速、準確獲取電機高頻阻抗參數(shù)，而且能在樣機制造之前為系統(tǒng)電磁兼容信號綜合分析提供模型參數(shù)。

本發(fā)明授權(quán)一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于數(shù)值仿真獲取電機高頻阻抗參數(shù)的方法，其特征在于：將電機整體原型按照電路的疊加和磁場的輻射特性分解為三段模擬空間；然后對各段模擬空間分別模擬計算出高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù)；再采用多導(dǎo)體分解計算模型分別獲得各段模擬空間的單導(dǎo)體高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù)；最后根據(jù)高頻阻抗外部繞組連接模型分別重整計算各段模擬空間的多匝繞組高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù)；其中，各段模擬空間內(nèi)的同相導(dǎo)線電阻值分解重整采用串聯(lián)模型，電感值分解重整采用串聯(lián)模型，電容值分解重整采用并聯(lián)模型； 具體地，通過如下步驟實現(xiàn)： S1：分段模擬 將電機整體原型按照電路的疊加和磁場的輻射特性分解為三段模擬空間，分別為對應(yīng)于電機前端繞組的前端繞組發(fā)射空間、對應(yīng)于電機后端繞組的后端繞組發(fā)射空間、對應(yīng)于電機主體繞組的主體繞組發(fā)射空間；對主體繞組發(fā)射空間采用降階的二維等效仿真模型進行仿真模擬，對前端繞組發(fā)射空間和后端繞組發(fā)射空間分別采用簡化為單一導(dǎo)體后的三維空間高頻電磁場仿真模型進行仿真模擬； S2：分解計算 對各段模擬空間的仿真結(jié)果進行分解，通過如下公式（1）、公式（2）和公式（3）分別分解出各段模擬空間中各相的單導(dǎo)體電阻R t、單導(dǎo)體電感L t和單導(dǎo)體電容C t； 式（1） 式2 式（3） 其中，R w代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電阻，L w代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電感，C w代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電容，N t為多導(dǎo)體匝數(shù)；其中，主體繞組發(fā)射空間的仿真模型已按單導(dǎo)體處理后仿真得到的結(jié)果，其匝數(shù)N t視為1； S3：重整計算 對各段模擬空間中各相的單導(dǎo)體電阻R t 、單導(dǎo)體電感L t和單導(dǎo)體電容C t分別按如下公式（4）、公式（5）和公式（6）進行重整計算，此時需要應(yīng)用電機繞組真實的匝數(shù)N t進行計算，分別得到電機整體原型的高頻電阻R s、電機整體原型的高頻電感L s和電機整體原型的高頻電容C p ； 式（4） 式（5） 式（6） 其中，F(xiàn) s（R t）代表高頻電阻的連接計算函數(shù)，F(xiàn) s（L t）代表高頻電感的連接計算函數(shù)，F(xiàn) P（C t）代表高頻電容的連接計算函數(shù)，F(xiàn) s（R t）、F s（L t）和F P（C t）根據(jù)高頻阻抗的外部接線和內(nèi)部接線采用相對應(yīng)的計算式； 其中，電機整體原型的內(nèi)部接線采用三相星形繞組，差模高頻阻抗的外部接線為VW兩相并聯(lián)，U相通過中性點與VW串聯(lián)，此時F s（R t）、F s（L t）和F P（C t）的計算式分別如公式（7）、公式（8）和公式（9）； 式（7） 式（8） 式（9） 其中，Σ代表對各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù)的求和，即，Σ的求和內(nèi)容是各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù)，Σ的求和結(jié)果是各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù)的總和；Rt·U代表在U相計算得到的Rt，Rt·V代表在V相計算得到的Rt，Rt·W代表在W相計算得到的Rt；Lt·U代表在U相計算得到的Lt，Lt·V代表在V相計算得到的Lt，Lt·W代表在W相計算得到的Lt；Ct·U代表在U相計算得到的Ct，Ct·V代表在V相計算得到的Ct，Ct·W代表在W相計算得到的Ct。

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