買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉江蘇第三代半導體研究院有限公司申請的專利一種Micro-LED芯片結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115642209B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211351660.5，技術領域涉及：H10H29/01；該發明授權一種Micro-LED芯片結構及其制備方法是由李增林;王國斌設計研發完成，并于2022-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種Micro-LED芯片結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種Micro?LED芯片結構及其制備方法，該制備方法包括：采用第一次刻蝕工藝對外延片進行刻蝕，去除外延片上的部分第二氮化物層、部分多量子阱發光層和部分第一氮化物層，形成刻蝕凹槽和多個臺面，刻蝕凹槽處露出第一氮化物層；采用第二次刻蝕工藝對刻蝕凹槽的側壁上的量子阱損傷進行第一次修復處理，刻蝕凹槽的側壁形成斜坡狀；采用第三次刻蝕工藝對刻蝕凹槽的部分側壁上的量子阱損傷進行第二次修復處理，使刻蝕凹槽的側壁包括至少兩個斜面。通過兩次修復損傷的量子阱，降低Micro?LED的尺寸效應帶來的不利影響，還可以額外增加上下各兩層的斜坡壁面反射，進而提高Micro?LED的量子效率。

本發明授權一種Micro-LED芯片結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種Micro-LED芯片結構的制備方法，其特征在于，包括： 采用第一次刻蝕工藝對外延片進行刻蝕，所述外延片包括自下而上層疊設置的生長襯底、第一氮化物層、多量子阱發光層和第二氮化物層，去除所述外延片上的部分所述第二氮化物層、部分所述多量子阱發光層和部分所述第一氮化物層，形成刻蝕凹槽和多個臺面，所述刻蝕凹槽處露出所述第一氮化物層；所述第一次刻蝕工藝為干法刻蝕工藝； 采用第二次刻蝕工藝對所述刻蝕凹槽的側壁上的量子阱損傷進行第一次修復處理，所述刻蝕凹槽的側壁形成斜坡狀且所述刻蝕凹槽形成為梯形槽結構；所述第二次刻蝕工藝為干法刻蝕工藝或濕法腐蝕工藝，當所述第二次刻蝕工藝為干法刻蝕工藝時，所述第二次刻蝕工藝的刻蝕功率小于所述第一次刻蝕工藝的刻蝕功率； 采用第三次刻蝕工藝對所述刻蝕凹槽的部分側壁上的量子阱損傷進行第二次修復處理，使所述刻蝕凹槽的側壁包括至少兩個斜面，且所述刻蝕凹槽的側壁呈V字型；所述第三次刻蝕工藝為濕法腐蝕工藝。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇第三代半導體研究院有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城中北區23幢214室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。