買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利半導體結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115632039B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211251990.7，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權半導體結構的制備方法是由張宏敏設計研發完成，并于2022-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構的制備方法，包括步驟：提供基底；于基底表面依次形成第一刻蝕阻擋層、第一介質層、第二刻蝕阻擋層及第二介質層；形成第一光刻膠層，定義出通孔圖形；形成通孔；于通孔內填充底部抗反射層；進行回刻，以使底部抗反射層的高度低于通孔深度；形成第二光刻膠層，于第二光刻膠層中形成溝槽圖形，溝槽圖形位于通孔正上方，且溝槽圖形尺寸大于通孔尺寸；形成溝槽，溝槽位于通孔的上部，且停止于第二刻蝕阻擋層處；去除通孔內剩余的底部抗反射層、第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層，形成通孔上部形成有溝槽的漏斗結構；于漏斗結構內填充互連金屬層。本申請有助于改善互連金屬的填充，提高器件性能。

本發明授權半導體結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括步驟： 提供基底11； 于所述基底11表面依次形成第一刻蝕阻擋層13、第一介質層14、第二刻蝕阻擋層15及第二介質層16； 于所述第二介質層14表面形成第一光刻膠層17，進行圖形化處理，以于所述第一光刻膠層17中定義出通孔圖形18； 進行刻蝕以形成通孔19，所述通孔19向下依次貫穿所述第二介質層16、第二刻蝕阻擋層15及第一介質層14，直至顯露出所述第一刻蝕阻擋層13； 于所述通孔19內填充底部抗反射層20； 對所述底部抗反射層22進行回刻，以使底部抗反射層20的高度低于通孔19深度； 形成覆蓋所述通孔19及第二介質層16的第二光刻膠層21，進行圖形化處理，以于第二光刻膠層21中形成溝槽圖形22，所述溝槽圖形22位于通孔19正上方，且溝槽圖形尺寸大于通孔尺寸； 進行刻蝕以形成溝槽23，所述溝槽23位于通孔19的上部，且停止于第二刻蝕阻擋層15處，溝槽23的上部開口尺寸大于下部開口尺寸； 去除通孔19內剩余的底部抗反射層20、第一刻蝕阻擋層13和第二刻蝕阻擋層15，形成通孔19上部形成有所述溝槽23的漏斗結構27； 于漏斗結構內填充互連金屬層25。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號1-1301；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。