北京理工大學(xué)王字滿獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京理工大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115481534B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202211119787.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06F30/20;該發(fā)明授權(quán)一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法是由王字滿;尹元浩;陳曉輝;張昊;吳晗;杜巍設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-09-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法,屬于機(jī)械密封尤其是金屬間的密封技術(shù)領(lǐng)域。根據(jù)待測(cè)密封件建立符合高斯分布的二維矩陣,使用三次插值方法求解二維矩陣,得到二元插值函數(shù),用二元插值函數(shù)對(duì)二維矩陣進(jìn)行加密,得到高密度二維矩陣,根據(jù)待測(cè)密封件的密封面間的擠壓壓力確定接觸面積比,再根據(jù)接觸面積比獲得臨界高度,根據(jù)獲得的臨界高度在高密度二維矩陣上判斷是否出現(xiàn)貫穿域,得到貫穿結(jié)果。
本發(fā)明授權(quán)一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基于插值函數(shù)的仿真預(yù)測(cè)密封泄漏方法,其特征在于該方法的步驟包括: 第一步,根據(jù)待測(cè)密封件建立符合高斯分布的二維矩陣,待測(cè)密封件的密封面包括上金屬面和下金屬面; 第二步,使用三次插值方法以第一步建立的二維矩陣為已知量,計(jì)算得到二元插值函數(shù),并以得到的二元插值函數(shù)作為待測(cè)密封件密封面的擬合函數(shù); 第三步,用第二步得到的二元插值函數(shù)對(duì)第一步建立的二維矩陣進(jìn)行加密,加密倍數(shù)為n,得到高密度二維矩陣; 第四步,根據(jù)待測(cè)密封件的密封面間的擠壓壓力確定接觸面積比; 第五步,根據(jù)第四步確定的接觸面積比獲得臨界高度,根據(jù)獲得的臨界高度在第三步確定的高密度二維矩陣上判斷是否出現(xiàn)貫穿域,得到貫穿結(jié)果; 第六步,重復(fù)第一步至第五步,重復(fù)次數(shù)不低于1000次,并統(tǒng)計(jì)得到的貫穿結(jié)果中貫穿的概率或未貫穿的概率; 所述的第四步中,接觸面積比γ為: 其中,μ1為上金屬面材質(zhì)的泊松比,μ2為下金屬面材質(zhì)的泊松比,E1為上金屬面材質(zhì)的體積模量,E2為下金屬面材質(zhì)的體積模量,P為待測(cè)密封件的上金屬面與下金屬面間的擠壓壓力,S1為上金屬面輪廓的主周期長(zhǎng)度,S2為下金屬面輪廓的主周期長(zhǎng)度,R1為上金屬面的表面粗糙度,R2為下金屬面的表面粗糙度; 所述的第五步中,臨界高度α的獲取方法為: γ=a1a1+a2,其中,a1為高密度二維矩陣中大于臨界高度α值的數(shù)量,a2為高密度二維矩陣中小于臨界高度α值的數(shù)量。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人北京理工大學(xué),其通訊地址為:100081 北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街5號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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