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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115360296B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210986016.9，技術領域涉及：H10N50/85；該發明授權鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法是由宋波;韓杰才;張晗旭;朱森寅;王先杰設計研發完成，并于2022-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法，涉及自旋電子學材料制備技術領域，本發明所述的制備方法首先采用真空封管工藝，在正的X蒸氣壓下合成CuCr2X4粉末材料，將獲得的粉末材料與適量X粉末混合后低溫氬氣氣氛燒結，制成富X的CuCr2X4靶材；進而采用激光脈沖沉積技術，以高能脈沖激光轟擊富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中產生一定的X蒸氣分壓，促使CuCr2X4薄膜在高溫襯底上成為尖晶石相，以實現鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的穩定制備。本發明制備的鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料結晶度高，在室溫下300K具有鐵磁性，飽和磁化強度為150?250emucm3，尺寸滿足自旋電子器件需求。

本發明授權鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1：將Cu粉末、Cr粉末和X粉末混合研磨并壓片后，埋入所述X粉末中，經真空燒結，研磨后得到CuCr2X4多晶粉末，所述Cu粉末、所述Cr粉末和所述X粉末的摩爾比為1：2：4，所述Cu粉末、所述Cr粉末和所述X粉末壓片后的質量與所述X粉末的質量比為3-10：1；將所述CuCr2X4多晶粉末與所述X粉末混合研磨并壓片后，在氬氣保護氛圍下低溫燒結，得到富X的CuCr2X4靶材，所述CuCr2X4多晶粉末與所述X粉末混合的質量比為2:1；其中，所述X為S和Se中的至少一種；所述真空燒結過程包括：初步燒結并保溫后，二次燒結并保溫，所述初步燒結的溫度為400-500℃，所述二次燒結的溫度為700-800℃；所述在氬氣保護氛圍下低溫燒結的燒結溫度為100-200℃； 步驟S2：將所述富X的CuCr2X4靶材和潔凈的襯底置于激光脈沖沉積系統的真空腔室中真空處理后，加熱所述襯底； 步驟S3：采用激光脈沖沉積技術轟擊所述富X的CuCr2X4靶材，使所述富X的CuCr2X4靶材沉積在所述襯底上，退火并自然冷卻到室溫后，得到鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。