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龍圖騰網獲悉中晟鯤鵬光電半導體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申請的專利一種化合物半導體的背面脫離工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115376989B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210975686.0，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權一種化合物半導體的背面脫離工藝是由嚴立巍;馬晴;劉文杰;林春慧設計研發完成，并于2022-08-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種化合物半導體的背面脫離工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體加工技術領域，具體的是一種化合物半導體的背面脫離工藝，本發明包括S1將多個化合物半導體基板背面通過碳沉積反應永久鍵合在耐高溫載板上，完成化合物半導體基板正面的晶圓制程；S2采用透明有機薄膜填充化合物半導體基板空隙，完成正面平坦化，然后將化合物半導體基板正面暫時鍵合玻璃載板；S3通過激光穿透玻璃載板與透明有機薄膜，將化合物半導體基板與耐高溫載板之間以及化合物半導體基板與化合物半導體基板之間鍵合的碳打斷；本發明通過碳沉積反應將化合物半導體基板的背面鍵合在耐高溫基板上，然后通過激光可以將鍵合的碳打斷，從而可以直接將化合物半導體基板與耐高溫基板分離，方便快捷，提高了分離的效率。

本發明授權一種化合物半導體的背面脫離工藝在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體的背面脫離工藝，其特征在于，包括以下步驟： S1、將多個化合物半導體基板背面通過碳沉積反應永久鍵合在耐高溫載板上，完成化合物半導體基板正面的晶圓制程； S2、采用透明有機薄膜填充化合物半導體基板空隙，完成正面平坦化，然后將化合物半導體基板正面暫時鍵合玻璃載板； S3、通過激光穿透玻璃載板與透明有機薄膜，將化合物半導體基板與耐高溫載板之間以及化合物半導體基板與化合物半導體基板之間鍵合的碳打斷； S4、翻轉玻璃載板，將耐高溫載板取下，完成化合物半導體基板背面晶圓制程后激光解鍵合，移除玻璃載板，清洗去除黏著層，完成化合物半導體元件； 所述化合物半導體基板包括砷化鎵基板、氮化鎵基板和碳化硅基板； 所述耐高溫載板為陶瓷或石墨制成； 所述透明有機薄膜為厚膜Elasticcompositetape或聚酰亞胺膜； 所述S1具體為： S1.1、所述耐高溫載板的表面開設有多個吸附孔，將化合物半導體基板背面放置于帶有多個吸附孔的耐高溫載板上進行吸附； S1.2、采用碳沉積反應，使得化合物半導體基板的表面附有碳沉積層，將化合物半導體基板背面鍵合在耐高溫載板上； S1.3、將化合物半導體基板的側壁涂覆光刻膠，之后用激光蝕刻化合物半導體基板表面的碳； S1.4、完成化合物半導體基板正面的晶圓制程。

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