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龍圖騰網獲悉旗濱新能源發(fā)展(深圳)有限責任公司申請的專利一種鈣鈦礦太陽能電池及其加工方法和BIPV組件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114927621B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210611646.8，技術領域涉及：H10K71/00；該發(fā)明授權一種鈣鈦礦太陽能電池及其加工方法和BIPV組件是由李要輝;張偉;程蕾設計研發(fā)完成，并于2022-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鈣鈦礦太陽能電池及其加工方法和BIPV組件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種鈣鈦礦太陽能電池及其加工方法和BIPV組件，其中，該鈣鈦礦太陽能電池的加工方法，包括以下步驟：提供第一鈣鈦礦太陽能電池芯片；采用非接觸式切割或機械切割對第一鈣鈦礦太陽能電池芯片進行裁切得到第二鈣鈦礦太陽能電池芯片；且至少在采用機械切割進行裁切后對第二鈣鈦礦太陽能電池芯片進行磨邊，在磨邊步驟中通過液態(tài)氣體降溫或通過水冷降溫；其中，至少在水冷降溫步驟中，第二鈣鈦礦太陽能電池芯片上覆蓋防水保護膜。加工后的電池芯片不會出現鈣鈦礦膜層的水解反應導致產品電性能與穩(wěn)定性下降問題，使用該加工方法可加工各種尺寸形狀的鈣鈦礦太陽能電池用以制造BIPV組件，滿足建筑幕墻、屋頂等各種場景應用需求。

本發(fā)明授權一種鈣鈦礦太陽能電池及其加工方法和BIPV組件在權利要求書中公布了：1.一種鈣鈦礦太陽能電池的加工方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供第一鈣鈦礦太陽能電池芯片；所述第一鈣鈦礦太陽能電池芯片為標準鈣鈦礦太陽能電池；所述第一鈣鈦礦太陽能電池芯片具有玻璃基層和位于玻璃基層表面上的若干層鍍膜層，且位于玻璃基層表面上的第一層所述鍍膜層為TCO膜層； 刻劃絕緣線：在所述第一鈣鈦礦太陽能電池芯片上采用激光刻劃所述絕緣線；所述絕緣線至少除去所述TCO膜層以外的所有鍍膜層； 掃邊：沿所述絕緣線對所述第一鈣鈦礦太陽能電池芯片進行掃邊，即去除玻璃基層上的所有所述鍍膜層，得到掃邊部； 裁切：裁切步驟沿所述掃邊部進行；采用機械切割對所述第一鈣鈦礦太陽能電池芯片進行裁切得到第二鈣鈦礦太陽能電池芯片；在采用所述機械切割進行裁切后對所述第二鈣鈦礦太陽能電池芯片進行磨邊，在磨邊步驟中通過液態(tài)氣體降溫；所述液態(tài)氣體選自液氮、液氧、液態(tài)氬氣、液態(tài)空氣、液態(tài)二氧化碳或液態(tài)氦氣中的至少一種。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旗濱新能源發(fā)展(深圳)有限責任公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道桃源社區(qū)北環(huán)大道方大廣場(二期)1、2號研發(fā)樓1號樓2103；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。