中國科學院微電子研究所李永亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種環柵晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114899236B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210471119.1，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種環柵晶體管及其制造方法是由李永亮;趙飛;羅軍;王文武設計研發完成，并于2022-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種環柵晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種環柵晶體管及其制造方法，涉及半導體技術領域，用于改善環柵晶體管中寄生溝道的漏電，提高環柵晶體管的導電性能。所述環柵晶體管包括：襯底、形成在襯底上的堆疊結構、形成在襯底與堆疊結構之間的含鍺半導體結構、以及環繞在至少一層納米片外周的柵堆疊。堆疊結構包括源區、漏區和至少一層納米片。至少一層納米片位于源區和漏區之間，至少一層納米片分別與源區和漏區接觸。含鍺半導體結構的寬度小于至少一層納米片的寬度。含鍺半導體結構中鍺的含量高于至少一層納米片中鍺的含量。至少一層納米片與含鍺半導體結構之間具有空隙。所述環柵晶體管的制造方法用于制造上述環柵晶體管。
本發明授權一種環柵晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種環柵晶體管，其特征在于，包括：襯底， 形成在襯底上的堆疊結構；所述堆疊結構包括源區、漏區和至少一層納米片；所述至少一層納米片位于所述源區和所述漏區之間，所述至少一層納米片分別與所述源區和所述漏區接觸； 形成在所述襯底與所述堆疊結構之間的含鍺半導體結構；所述含鍺半導體結構的寬度小于所述至少一層納米片的寬度；所述含鍺半導體結構中鍺的含量高于所述至少一層納米片中鍺的含量；所述至少一層納米片與所述含鍺半導體結構之間具有空隙； 以及環繞在至少一層納米片外周的柵堆疊。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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