東芯半導體股份有限公司金鎮湖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東芯半導體股份有限公司申請的專利具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446965B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210113278.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法是由金鎮湖設計研發完成，并于2022-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法。通過將多條位線圍繞半導體柱的下部的外壁形成，將多條字線在多條位線的上方隔著中間絕緣層而圍繞半導體柱的外壁形成，使得垂直溝槽晶體管的主體能夠直接接觸半導體襯底，從而避免垂直溝槽晶體管的主體浮動，且可以縮小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，僅通過沉積和蝕刻工藝來形成柵堆疊結構，無需光刻工藝，不借助光掩模而形成字線，結構和工藝較為簡單，從而沿用現有設備和材料即可將存儲器擴展到10nm以下。
本發明授權具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有垂直溝道晶體管的存儲器的制造方法，其特征在于，包括如下工序： 在半導體襯底上形成多個半導體柱的工序，該多個半導體柱垂直于半導體襯底的水平表面而延伸，在第一方向上及與所述第一方向交叉的第二方向上排列成陣列； 設置沿所述第一方向延伸而平行的多條位線的工序，每一條位線圍繞所述第一方向上排列的多個半導體柱的下部的外壁形成；及 在所述多條位線的上方，與所述多條位線之間隔著中間絕緣層而設置沿所述第二方向延伸而平行的多條字線的工序，每一條字線圍繞所述第二方向上排列的多個半導體柱的外壁形成， 形成所述位線的工序包括： 在形成有所述多個半導體柱的半導體襯底上沉積第一氧化物層，并僅在半導體襯底上形成第一氮化物層； 沉積第二氧化物層； 蝕刻所述第二氧化物層、所述第一氮化物層和所述第一氧化物層以形成位線切口并注入雜質； 僅去除圍繞所述多個半導體柱的下部的外壁的所述第一氮化物層和所述第一氧化物層； 沉積導電材料并進行蝕刻來形成所述位線。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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