江西兆馳半導體有限公司胡加輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551593B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210049690.4，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管是由胡加輝;劉春楊;金從龍;顧偉設計研發完成，并于2022-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：本發明提供一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管，該外延片包括依次層疊設置的Si襯底，AlN成核層，高阻緩沖層，GaN溝道層，AlN插入層，AlGaN勢壘層及GaN蓋帽層，所述高阻緩沖層包括依次層疊設置的第一碳摻雜AlGaN層、第二碳摻雜AlGaN層以及第三碳摻雜AlGaN層，所述第一碳摻雜AlGaN層設置在靠近所述AlN成核層的一側；其中，所述第一碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度由高到低均勻漸變，所述第二碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度恒定不變，所述第三碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度由低到高均勻漸變。與現有技術相比，本發明提出的外延片既能實現高阻又具有很高的晶體質量。
本發明授權一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種外延片，其特征在于，包括依次層疊設置的Si襯底，AlN成核層，高阻緩沖層，GaN溝道層，AlN插入層，AlGaN勢壘層及GaN蓋帽層，所述高阻緩沖層包括依次層疊設置的第一碳摻雜AlGaN層、第二碳摻雜AlGaN層以及第三碳摻雜AlGaN層，所述第一碳摻雜AlGaN層設置在靠近所述AlN成核層的一側； 其中，所述第一碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度沿靠近Si襯底一側向遠離Si襯底一側由高到低均勻漸變，所述第二碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度恒定不變，所述第三碳摻雜AlGaN層的摻雜濃度沿靠近Si襯底一側向遠離Si襯底一側由低到高均勻漸變。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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