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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學(xué);海安南京大學(xué)高新技術(shù)研究院申請的專利一種MOCVD脈沖式生長硒化鎢薄膜的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113808919B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111147436.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種MOCVD脈沖式生長硒化鎢薄膜的制備方法是由郝玉峰;張建裕;劉孟杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-09-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種MOCVD脈沖式生長硒化鎢薄膜的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種MOCVD脈沖式變溫熟化生長二維半導(dǎo)體硒化鎢WSe2薄膜的制備方法，其包括以下步驟：清洗c面藍寶石襯底；將清洗好的襯底放入MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)，對襯底進行高溫預(yù)處理，而后以六羰基鎢WCO6和硒化氫H2Se為前驅(qū)體，通過MOCVD脈沖式變溫熟化生長，在藍寶石上沉積WSe2薄膜；將生長在藍寶石上的WSe2薄膜進行退火處理后得到連續(xù)，大面積且結(jié)晶質(zhì)量高的成品。薄膜退火是在200℃~400℃的氫氣H2和氬氣Ar混合氣氛下保溫2~3小時進行的，退火處理過程中升降溫速率為40~60℃小時；優(yōu)點是前驅(qū)體均采用氣體源，避免了粉體的碳污染；首次采用高溫熟化的脈沖生長方式，有效控制成核密度，抑制二層生長，促進WSe2外延生長。經(jīng)過6?8個循環(huán)后可得到連續(xù)、大面積、電學(xué)性能高、生長可控的WSe2薄膜，在微電子領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種MOCVD脈沖式生長硒化鎢薄膜的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOCVD脈沖式變溫熟化生長二維半導(dǎo)體硒化鎢WSe2薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟： 步驟一：清洗c面藍寶石襯底； 步驟二：將清洗好的襯底放入MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)，對襯底進行高溫預(yù)處理，以六羰基鎢WCO6和硒化氫H2Se為前驅(qū)體，通過MOCVD脈沖式變溫熟化生長，在藍寶石上沉積WSe2薄膜； 步驟三：將生長在藍寶石上的WSe2薄膜進行退火處理后得到連續(xù)，大面積且結(jié)晶質(zhì)量高的成品；退火是在200℃~400℃的氫氣H2和氬氣Ar混合氣氛下保溫2~3小時進行的，退火處理過程中升降溫速率為40~60℃小時。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南京大學(xué);海安南京大學(xué)高新技術(shù)研究院，其通訊地址為：210093 江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大道163號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。