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龍圖騰網(wǎng)獲悉長江存儲科技有限責(zé)任公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113948455B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111068522.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法是由吳亮;顏元;張豪;朱文琪設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-09-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。其中，所述方法包括：提供基底結(jié)構(gòu)；所述基底結(jié)構(gòu)包含第一開口；在所述第一開口的側(cè)壁形成第一厚度的第一介質(zhì)層；所述第一介質(zhì)層的厚度隨著所述第一開口深度的增加而減小；對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行離子注入，部分所述第一介質(zhì)層形成摻雜層；對所述摻雜層進(jìn)行刻蝕，去除部分所述摻雜層，得到第二厚度的第一介質(zhì)層，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，在刻蝕的過程中，刻蝕源對所述摻雜層刻蝕的量隨著所述第一開口深度的增加而減小。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底結(jié)構(gòu)；所述基底結(jié)構(gòu)包含第一開口； 在所述第一開口的側(cè)壁形成第一厚度的第一介質(zhì)層；所述第一介質(zhì)層的厚度隨著所述第一開口深度的增加而減小； 對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行離子注入，部分所述第一介質(zhì)層形成摻雜層；所述摻雜層的厚度隨著所述第一開口的深度的增加保持不變，所述摻雜層的摻雜濃度隨著所述第一開口深度的增加而降低； 對所述摻雜層進(jìn)行刻蝕，去除部分所述摻雜層，得到第二厚度的第一介質(zhì)層，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，在刻蝕的過程中，刻蝕源對所述摻雜層刻蝕的量隨著所述第一開口深度的增加而減小。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長江存儲科技有限責(zé)任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。