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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體封裝件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112289767B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010226239.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝件及其制造方法是由柳在冏;李在銀;高永權(quán);李澤勳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體封裝件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。半導(dǎo)體封裝件可以包括半導(dǎo)體芯片和下重新分布結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片包括芯片墊，下重新分布結(jié)構(gòu)包括下重新分布絕緣層和下重新分布圖案。下重新分布絕緣層可以包括面對(duì)半導(dǎo)體芯片的頂表面。半導(dǎo)體封裝件還可以包括模塑層和位于模塑層中的導(dǎo)電柱，模塑層位于半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上并且包括面對(duì)下重新分布結(jié)構(gòu)的底表面。導(dǎo)電柱可以包括接觸下重新分布結(jié)構(gòu)的底表面。下重新分布絕緣層的頂表面離導(dǎo)電柱的頂表面可以比模塑層的頂表面近。模塑層的頂表面的粗糙度可以大于導(dǎo)電柱的頂表面的粗糙度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括： 半導(dǎo)體芯片，包括芯片墊； 下重新分布結(jié)構(gòu)，位于半導(dǎo)體芯片上，下重新分布結(jié)構(gòu)包括下重新分布絕緣層和電連接到半導(dǎo)體芯片的芯片墊的下重新分布圖案，并且下重新分布絕緣層包括面對(duì)半導(dǎo)體芯片的頂表面； 模塑層，在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上延伸，并且包括面對(duì)下重新分布結(jié)構(gòu)的底表面和與模塑層的底表面背對(duì)的頂表面；以及 導(dǎo)電柱，位于模塑層中，導(dǎo)電柱包括接觸下重新分布圖案的底表面和與導(dǎo)電柱的底表面背對(duì)的頂表面， 其中，導(dǎo)電柱的頂表面與下重新分布絕緣層的頂表面間隔開第一距離，并且模塑層的頂表面與下重新分布絕緣層的頂表面間隔開大于第一距離的第二距離，并且 其中，模塑層的頂表面的粗糙度大于導(dǎo)電柱的頂表面的粗糙度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。