卡爾蔡司SMT有限責任公司U.馬特耶卡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉卡爾蔡司SMT有限責任公司申請的專利用于表征微光刻掩模的方法和設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114167682B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111054459.6,技術領域涉及:G03F1/84;該發明授權用于表征微光刻掩模的方法和設備是由U.馬特耶卡;H.塞茨;T.弗蘭克;A.拉蘇爾設計研發完成,并于2021-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于表征微光刻掩模的方法和設備在說明書摘要公布了:本發明涉及用于表征微光刻掩模的方法和設備。在根據本發明的方法中,多個單獨成像過程以由檢測器單元指定的像素分辨率實行,其中這些單獨成像過程在位于成像光學單元中的至少一個偏振光學元件的位置方面彼此不同,其中在評估單元中評估由檢測器單元記錄的圖像數據,其中模擬由于在微光刻投影曝光設備的操作期間在晶片平面中發生的電磁輻射的干涉的偏振依賴性而引起的偏振相關效應,其中實現在單獨成像過程中獲得的圖像數據的轉換,其在各個情況下基于通過將掩模的無結構區域成像到檢測器單元上所獲得的至少一個校準圖像,其中相應地使用的校準圖像取決于至少一個偏振光學元件的位置而被不同地選擇。
本發明授權用于表征微光刻掩模的方法和設備在權利要求書中公布了:1.一種用于表征微光刻掩模的方法, -其中照明光學單元410照明旨在微光刻投射曝光設備中用于光刻工藝的掩模421的結構,并且其中成像光學單元430將所述掩模421成像到檢測器單元440上,其中所述檢測器單元440具有多個像素; -其中以所述檢測器單元440指定的像素分辨率實行多個單獨成像過程,其中這些單獨成像過程在位于所述成像光學單元430中的至少一個偏振光學元件的位置方面彼此不同; -其中在評估單元450中評估由所述檢測器單元記錄的圖像數據,其中在該評估期間模擬由于在操作所述微光刻投射曝光設備期間發生在晶片平面中的電磁輻射的干涉的偏振依賴性而引起的偏振依賴的效應; -其中該評估包括在所述單獨成像過程中獲得的圖像數據的轉換,其在各個情況下都基于通過將所述掩模421的無結構區域成像到所述檢測器單元440上所獲得的至少一個校準圖像; -其中在該轉換期間相應使用的校準圖像取決于相關的單獨成像過程期間的至少一個偏振光學元件的位置而被不同地選擇。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人卡爾蔡司SMT有限責任公司,其通訊地址為:德國上科亨;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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