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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請的專利磁阻式隨機(jī)存取存儲器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115482852B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110598874.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/16；該發(fā)明授權(quán)磁阻式隨機(jī)存取存儲器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)是由吳奕廷;黃正同;王荏滺;謝詠凈;楊伯鈞;陳健中;李柏昌設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-05-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本磁阻式隨機(jī)存取存儲器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種磁阻式隨機(jī)存取存儲器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)，其中該磁阻式隨機(jī)存取存儲器電路結(jié)構(gòu)中的存儲單元具有依序串聯(lián)的三個晶體管以及四個磁隧穿結(jié)，其中第一晶體管與第三晶體管的連接處為第一結(jié)點(diǎn)，第二晶體管與第三晶體管的連接處為第二結(jié)點(diǎn)，第一晶體管與第三晶體管的另一端連接到一共同的來源線，第一磁隧穿結(jié)與第二磁隧穿結(jié)串聯(lián)構(gòu)成第一磁隧穿結(jié)組且一端連接到第一結(jié)點(diǎn)，第三磁隧穿結(jié)與第四磁隧穿結(jié)串聯(lián)構(gòu)成第二磁隧穿結(jié)組且一端連接到該第二結(jié)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)磁阻式隨機(jī)存取存儲器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁阻式隨機(jī)存取存儲器電路結(jié)構(gòu)，具有多個存儲單元，其中每個存儲單元包含： 三個晶體管，分別為依序串聯(lián)的第一晶體管、第三晶體管以及第二晶體管，其中該第一晶體管與該第三晶體管的連接處為第一結(jié)點(diǎn)，該第二晶體管與該第三晶體管的連接處為第二結(jié)點(diǎn)，該第一晶體管與該第二晶體管的另一端連接到共同的來源線；以及 四個磁隧穿結(jié)，分別為第一磁隧穿結(jié)、第二磁隧穿結(jié)、第三磁隧穿結(jié)以及第四磁隧穿結(jié)，其中該第一磁隧穿結(jié)與該第二磁隧穿結(jié)串聯(lián)構(gòu)成第一磁隧穿結(jié)組，該第一磁隧穿結(jié)組的一端連接到該第一結(jié)點(diǎn)，該第三磁隧穿結(jié)與該第四磁隧穿結(jié)串聯(lián)構(gòu)成第二磁隧穿結(jié)組，該第二磁隧穿結(jié)組的一端連接到該第二結(jié)點(diǎn)， 其中該第一磁隧穿結(jié)組中的該第一磁隧穿結(jié)與該第二磁隧穿結(jié)分別為尺寸較小的磁隧穿結(jié)與尺寸較大的磁隧穿結(jié)，該第二磁隧穿結(jié)組中的該第三磁隧穿結(jié)與該第四磁隧穿結(jié)分別為尺寸較小的磁隧穿結(jié)與尺寸較大的磁隧穿結(jié)。

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