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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社鐘化申請的專利太陽能電池的制造方法以及太陽能電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115461877B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180031120.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F77/20；該發(fā)明授權(quán)太陽能電池的制造方法以及太陽能電池是由兼松正典;足立大輔;藤本貴久設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本太陽能電池的制造方法以及太陽能電池在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種太陽能電池，即使實現(xiàn)制造工藝的簡化，也能夠抑制太陽能電池的性能下降以及抑制可靠性下降。太陽能電池1是在第一區(qū)域形成有第一半導(dǎo)體層25及第一金屬電極層29，并在第二區(qū)域形成有第二半導(dǎo)體層及第二金屬電極層的背面電極型，該太陽能電池1具備樹脂膜41，該樹脂膜41配置于第一金屬電極層29及第二金屬電極層中的第一區(qū)域與第二區(qū)域的邊界側(cè)的端部，第一金屬電極層29及第二金屬電極層具有基底層29l與鍍敷層29u，基底層29l具有與半導(dǎo)體基板11的凹凸構(gòu)造對應(yīng)的凹凸構(gòu)造，基底層29l中的凹凸構(gòu)造的山部與鍍敷層29u接觸，在基底層29l的端部中的凹凸構(gòu)造的谷部與鍍敷層29u之間夾設(shè)有樹脂膜41。

本發(fā)明授權(quán)太陽能電池的制造方法以及太陽能電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種太陽能電池，其是背面電極型的太陽能電池， 所述背面電極型的太陽能電池具備：在一個主面?zhèn)染哂薪鹱炙偷奈⒓?xì)的紋理構(gòu)造的半導(dǎo)體基板、依次層疊于作為所述半導(dǎo)體基板的所述一個主面?zhèn)鹊囊徊糠值牡谝粎^(qū)域的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第一金屬電極層、和依次層疊于作為所述半導(dǎo)體基板的所述一個主面?zhèn)鹊牧硪徊糠值牡诙^(qū)域的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二金屬電極層， 所述太陽能電池的特征在于， 具備樹脂膜，所述樹脂膜配置于所述第一金屬電極層及所述第二金屬電極層各自中的至少所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的邊界側(cè)的端部， 所述第一金屬電極層及所述第二金屬電極層分別具有基底層與鍍敷層， 所述基底層具有與所述半導(dǎo)體基板的所述金字塔型的微細(xì)的紋理構(gòu)造對應(yīng)的金字塔型的微細(xì)的紋理構(gòu)造， 所述基底層中的所述金字塔型的微細(xì)的紋理構(gòu)造的山部與所述鍍敷層接觸， 在所述基底層的至少所述端部中的所述金字塔型的微細(xì)的紋理構(gòu)造的谷部與所述鍍敷層之間夾設(shè)有所述樹脂膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社鐘化，其通訊地址為：日本大阪府；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。