聯華電子股份有限公司李偉齊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利靜態隨機存取存儲器的布局圖案及其形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114725109B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110011339.1,技術領域涉及:H10B10/00;該發明授權靜態隨機存取存儲器的布局圖案及其形成方法是由李偉齊;葉書瑋;陳昌宏設計研發完成,并于2021-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜態隨機存取存儲器的布局圖案及其形成方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種靜態隨機存取存儲器的布局圖案及其形成方法,其中該靜態隨機存取存儲器的布局圖案至少包含一基底,多條鰭狀結構位于該基底上,多條柵極結構位于該基底上并且跨越該多條鰭狀結構,以組成多個晶體管分布于該基底上,其中該多個晶體管包含,一第一上拉晶體管PU1、一第一下拉晶體管PD1、一第二上拉晶體管PU2、一第二下拉晶體管PD2、一第一存取晶體管PG1、一第二存取晶體管PG2、一第一讀取晶體管RPD與一第二讀取晶體管RPG,以及一增設鰭狀結構,其中該增設鰭狀結構位于該第一存取晶體管PG1的該鰭狀結構與該第二讀取晶體管RPG的該鰭狀結構之間。
本發明授權靜態隨機存取存儲器的布局圖案及其形成方法在權利要求書中公布了:1.一種靜態隨機存取存儲器的布局圖案,其特征在于,至少包含: 基底; 多條鰭狀結構,位于該基底上; 多條柵極結構,位于該基底上并且跨越該多條鰭狀結構,以組成多個晶體管分布于該基底上,其中每一個晶體管包含有部分的該柵極結構跨越部分該鰭狀結構,其中該多個晶體管包含: 第一上拉晶體管PU1、第一下拉晶體管PD1、第二上拉晶體管PU2與第二下拉晶體管PD2,共同組成栓鎖電路latch; 第一存取晶體管PG1與第二存取晶體管PG2連接該栓鎖電路;以及 相互串聯的第一讀取晶體管RPD與第二讀取晶體管RPG,其中該第一讀取晶體管RPD的所包含的該柵極結構連接該第一下拉晶體管PD1的該柵極結構;以及 增設鰭狀結構,其中該增設鰭狀結構位于該第一存取晶體管PG1的該鰭狀結構與該第二讀取晶體管RPG的該鰭狀結構之間,該增設鰭狀結構的長度小于該多條鰭狀結構的長度。
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