朗姆研究公司阿魯爾·N·達斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利用于薄膜沉積的等離子體增強晶片浸泡獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113196449B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980083457.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權用于薄膜沉積的等離子體增強晶片浸泡是由阿魯爾·N·達斯;李明;洪圖設計研發完成，并于2019-10-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于薄膜沉積的等離子體增強晶片浸泡在說明書摘要公布了：公開了設備與方法，其用于將襯底提供到處理室中的襯底支撐件上；在所述處理室中產生惰性等離子體；以及維持所述惰性等離子體，以在從提供所述襯底到所述襯底支撐件上小于30秒內將所述襯底加熱到穩定狀態溫度，其中所述穩定狀態溫度適于進行等離子體增強化學氣相沉積PECVD。一種設備可包含：處理室；處理站，該處理站包括襯底支撐件；處理氣體單元，該處理氣體單元被設置成使惰性氣體流動到由該襯底支撐件所支撐的襯底上；等離子體源，該等離子體源被設置成在該處理站中產生惰性等離子體；以及控制器，該控制器包括被設置成執行以下操作的指令：使該惰性氣體流動到該襯底上；在第一處理站中產生該惰性等離子體；以及維持該惰性等離子體以由此加熱該襯底。
本發明授權用于薄膜沉積的等離子體增強晶片浸泡在權利要求書中公布了：1.一種半導體處理方法，其包含： 將襯底提供到處理室中的襯底支撐件上； 在所述處理室中產生惰性等離子體； 維持所述惰性等離子體，以在從提供所述襯底到所述襯底支撐件上小于30秒內將所述襯底加熱到穩定狀態溫度，其中所述穩定狀態溫度適于進行等離子體增強化學氣相沉積PECVD；以及 在所述襯底處于所述穩定狀態溫度時且在反應物等離子體在所述處理室中產生時，通過PECVD在所述襯底上沉積材料層， 其中所述沉積包含在維持所述惰性等離子體時，使反應物處理氣體流動到所述襯底上，由此將所述惰性等離子體改變成所述反應物等離子體而不熄滅所述惰性等離子體， 其中： 加熱所述襯底支撐件；并且 通過所述惰性等離子體與來自所述襯底支撐件的輻射的組合加熱所述襯底。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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