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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利磁傳感器裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114207857B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080052930.5，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權磁傳感器裝置是由尾込智和;山內一輝設計研發完成，并于2020-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本磁傳感器裝置在說明書摘要公布了：磁傳感器裝置包括生成磁場的磁體及配置在與被檢測物的傳送方向正交的長邊方向的磁阻效應元件。磁阻效應元件的第一電阻體31a和第二電阻體31b配置成第一電阻體31a和第二電阻體31b在傳送方向上的間隔中心位于磁體在傳送方向上的中心軸Cx。磁體向第一電阻體31a和第二電阻體31b施加具有被檢測物的傳送方向分量和長邊方向分量的磁場。第一電阻體31a和第二電阻體31b配置為其間隔隨著從第一電阻體31a和第二電阻體31b的一端朝向長邊方向的另一端而擴大，至少兩組第一電阻體31a和第二電阻體31b相對于磁體的與長邊方向正交的虛擬線Cy'以線對稱方式配置。

本發明授權磁傳感器裝置在權利要求書中公布了：1.一種磁傳感器裝置，其特征在于，包括： 磁場產生構件，該磁場產生構件生成與被檢測物交叉的磁場；以及 磁阻效應元件，該磁阻效應元件將與所述被檢測物的傳送方向正交的方向作為長邊方向而配置在所述長邊方向的直線上， 所述磁阻效應元件具有第一電阻體和第二電阻體配置成所述第一電阻體與所述第二電阻體在所述傳送方向上的間隔的中心位于所述磁場產生構件在所述傳送方向上的中心位置的結構， 所述磁場產生構件向所述第一電阻體和所述第二電阻體施加具有所述被檢測物的傳送方向的分量和所述長邊方向的分量的磁場， 所述第一電阻體和所述第二電阻體配置為隨著從所述第一電阻體和所述第二電阻體的一端朝向所述長邊方向的另一端，所述第一電阻體和所述第二電阻體的間隔擴大， 至少兩組所述第一電阻體和所述第二電阻體相對于所述磁場產生構件的與所述長邊方向正交的軸以線對稱方式配置， 多組所述磁阻效應元件中的第一群組配置成比所述磁場產生構件的中心軸靠近長邊方向的第一側，所述中心軸與所述磁場產生構件的長邊方向的中心交叉，且垂直于所述長邊方向而延伸， 多組所述磁阻效應元件中的第二群組配置成比所述中心軸靠近長邊方向的第二側， 在所述第一群組的所述磁阻效應元件中，所述第一電阻體和所述第二電阻體的一端比所述第一電阻體和所述第二電阻體的另一端更接近中心軸， 在所述第二群組的除一組之外的所有所述磁阻效應元件中，所述第一電阻體和所述第二電阻體的一端比所述第一電阻體和所述第二電阻體的另一端更接近中心軸。

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