三星電子株式會社盧昶佑獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112151615B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010582091.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法是由盧昶佑;裵東一;裵金鐘設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。該半導(dǎo)體器件包括：在襯底上的掩埋絕緣層；在掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，下半導(dǎo)體層包括第一材料；在下半導(dǎo)體層上的溝道圖案，溝道圖案與下半導(dǎo)體層間隔開并且包括與第一材料不同的第二材料；以及圍繞溝道圖案的至少一部分的柵電極。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 在襯底上的掩埋絕緣層； 在所述掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，所述下半導(dǎo)體層包括第一子半導(dǎo)體層和在所述第一子半導(dǎo)體層上的第二子半導(dǎo)體層，所述第二子半導(dǎo)體層包括第一材料； 在所述下半導(dǎo)體層上的溝道圖案，所述溝道圖案與所述下半導(dǎo)體層間隔開并且包括與所述第一材料不同的第二材料，所述第二材料相對于所述第一材料具有蝕刻選擇性； 圍繞所述溝道圖案的至少一部分的柵電極；以及 在所述下半導(dǎo)體層上的源極漏極區(qū)域，所述源極漏極區(qū)域連接到所述溝道圖案， 其中所述下半導(dǎo)體層包括源極漏極凹陷，以及 其中所述源極漏極區(qū)域的一部分填充所述源極漏極凹陷。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報(bào)告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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