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      華為技術(shù)有限公司鄭見濤獲國(guó)家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片封裝方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115244685B

      龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202080098057.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/367;該發(fā)明授權(quán)一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片封裝方法是由鄭見濤;趙南;蔣尚軒;江宇;呂建標(biāo);任亦緯設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-04-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片封裝方法在說明書摘要公布了:本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片封裝方法,該封裝結(jié)構(gòu)包括:基板、芯片、支撐部和導(dǎo)熱蓋板;芯片安裝于基板表面,導(dǎo)熱蓋板設(shè)置于芯片背離基板的一側(cè);導(dǎo)熱蓋板朝向基板的表面具有與芯片相對(duì)的填充區(qū)域,填充區(qū)域有開口朝向基板的容納槽,芯片與容納槽的底面之間填充有熱界面材料層;容納槽的開口邊沿與基板之間具有與該容納槽連通的第一間隙。在制備封裝結(jié)構(gòu)時(shí),使容納槽的開口向上,管道通過上述第一間隙向容納槽內(nèi)澆注填充材料;填充材料將熱界面材料層的側(cè)面包裹,以將熱界面材料層的側(cè)面與空氣隔離開;熱界面材料層不易與空氣中的成分作用而變質(zhì),確保芯片與導(dǎo)熱蓋板之間具有良好的熱接觸,有利于芯片穩(wěn)定散熱。

      本發(fā)明授權(quán)一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備及芯片封裝方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:基板、導(dǎo)熱蓋板和至少一個(gè)芯片,所述導(dǎo)熱蓋板設(shè)置于所述至少一個(gè)芯片背離所述基板的一側(cè); 所述導(dǎo)熱蓋板朝向所述基板的表面具有至少一個(gè)填充區(qū)域,每個(gè)所述填充區(qū)域與一個(gè)或多個(gè)芯片對(duì)應(yīng),每個(gè)所述填充區(qū)域有開口朝向所述基板的容納槽,每個(gè)所述芯片與對(duì)應(yīng)的容納槽的底面之間填充有熱界面材料層,每個(gè)所述容納槽內(nèi)填充有填充材料,其中,在每個(gè)所述容納槽內(nèi),所述填充材料包裹所述熱界面材料層的側(cè)面;所述芯片的一部分容納于所述容納槽中; 每個(gè)所述容納槽的至少部分開口邊沿與所述基板之間具有與所述容納槽連通的第一間隙。

      如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華為技術(shù)有限公司,其通訊地址為:518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田華為總部辦公樓;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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