三星電子株式會社洪思煥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利垂直場效應晶體管(VFET)器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110729192B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910642353.4，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權垂直場效應晶體管(VFET)器件及其形成方法是由洪思煥;樸容喜;徐康一設計研發完成，并于2019-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本垂直場效應晶體管(VFET)器件及其形成方法在說明書摘要公布了：提供了垂直場效應晶體管VFET器件和形成器件的方法。該方法可包括：形成包括第一溝道區域和第二溝道區域的溝道區域；在襯底中形成第一腔；在第一腔中形成第一底部源極漏極；在襯底中形成第二腔；以及在第二腔中形成第二底部源極漏極。第一腔可以暴露第一溝道區域的下表面，第二腔可以暴露第二溝道區域的下表面。該方法還可以包括：在形成第一底部源極漏極和第二底部源極漏極之后，去除第一溝道區域和第二溝道區域之間的溝道區域的一部分，以將第一溝道區域與第二溝道區域分離。
本發明授權垂直場效應晶體管(VFET)器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成垂直場效應晶體管器件的方法，該方法包括： 形成從襯底的上表面突出并沿第一水平方向縱向延伸的溝道區域，其中，所述溝道區域包括在所述第一水平方向上對齊的第一溝道區域和第二溝道區域，并且所述第一溝道區域和所述第二溝道區域分別與所述襯底的第一部分和第二部分重疊； 通過去除所述襯底的第一部分在所述襯底中形成第一腔，其中所述第一腔暴露所述第一溝道區域的下表面； 在所述襯底的第一腔中形成第一底部源極漏極； 通過去除所述襯底的第二部分在所述襯底中形成第二腔，其中所述第二腔暴露所述第二溝道區域的下表面； 在所述襯底的第二腔中形成第二底部源極漏極； 在形成所述第一底部源極漏極和所述第二底部源極漏極之后，去除所述第一溝道區域和所述第二溝道區域之間的所述溝道區域的一部分，以將所述第一溝道區域與所述第二溝道區域分離；和 在所述第一溝道區域的一側上形成第一柵極結構，并在所述第二溝道區域的一側上形成第二柵極結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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