索尼半導(dǎo)體解決方案公司神田泰夫獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉索尼半導(dǎo)體解決方案公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體電路和電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN113544780B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202080019557.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C11/16;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體電路和電子設(shè)備是由神田泰夫設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-02-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體電路和電子設(shè)備在說明書摘要公布了:該半導(dǎo)體電路包括:第一存儲(chǔ)元件,包括第一端子、耦接至第一節(jié)點(diǎn)的第二端子和隧道阻擋膜,且所述第一存儲(chǔ)元件能夠通過破壞隧道阻擋膜來存儲(chǔ)信息;第一晶體管,包括耦接至第一節(jié)點(diǎn)的漏極、源極、柵極和耦接至第二節(jié)點(diǎn)的背柵;以及第二晶體管,包括漏極、耦接至第二節(jié)點(diǎn)的源極和耦接至第一節(jié)點(diǎn)的柵極。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體電路和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體電路,包括: 第一存儲(chǔ)元件,包括第一端子、耦接至第一節(jié)點(diǎn)的第二端子、以及隧道阻擋膜,并且所述第一存儲(chǔ)元件被配置為能夠通過破壞所述隧道阻擋膜來存儲(chǔ)信息; 第一晶體管,包括耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)的漏極、源極、柵極和耦接至第二節(jié)點(diǎn)的背柵;以及 第二晶體管,包括漏極、耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的源極和耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)的柵極。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人索尼半導(dǎo)體解決方案公司,其通訊地址為:日本神奈川;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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