北京燕東微電子科技有限公司周源獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京燕東微電子科技有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111192924B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911416623.6，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體器件及其制造方法是由周源;張小麟;李靜怡;王超;張志文;朱林迪;袁波;劉恒;梁維佳設計研發完成，并于2019-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及其制造方法，該半導體器件包括：襯底；體區，位于襯底的表面上；摻雜區，自體區表面延伸至體區中；柵疊層，位于體區的表面；以及導電通道，包括穿過體區并與襯底接觸的溝槽以及填充在所述溝槽內的導電材料，導電通道與摻雜區分隔，其中，摻雜區與導電通道之間形成溝道，襯底與摻雜區通過導電通道和溝道導通。該半導體器件通過在溝槽中填充導電材料形成了導電通道，由于溝槽不再用于制作溝槽柵，降低了對溝槽的刻蝕質量要求，從而降低了刻蝕難度，并通過在體區表面形成的柵疊層代替了溝槽柵，因此使得器件的閾值電壓更加穩定。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底； 體區，位于所述襯底的表面上； 摻雜區，自所述體區表面延伸至所述體區中； 柵疊層，包括柵介質層和柵極導體層，所述柵介質層覆蓋所述體區的表面，所述柵極導體層位于所述柵介質層上；以及 導電通道，包括穿過所述體區并與所述襯底接觸的溝槽以及填充在所述溝槽內的導電材料，所述導電通道與所述摻雜區分隔，其中，所述體區中摻雜雜質的劑量不大于E14cm-2，并且所述導電通道具有不低于E18cm-3的雜質濃度， 其中，所述體區為第一摻雜類型，所述襯底、所述導電通道以及所述摻雜區為第二摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型相反， 在垂直于所述體區的厚度方向的截面上，多個所述摻雜區呈陣列排布在所述體區中，每個所述摻雜區被所述導電通道包圍，其中，每個所述摻雜區與所述導電通道之間的溝道呈回字形， 所述柵極導體層接收控制電壓，所述襯底與所述摻雜區之間通過所述導電通道、所述摻雜區與所述導電通道之間的溝道導通。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京燕東微電子科技有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道8號1幢4層4D15；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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