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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利晶圓堆疊方法與晶圓堆疊結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111128973B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811295887.6，技術領域涉及：H10D80/30；該發明授權晶圓堆疊方法與晶圓堆疊結構是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓堆疊方法與晶圓堆疊結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種晶圓堆疊方法與結構。晶圓堆疊方法包括：提供第一晶圓，所述第一晶圓的上表面包括設置為連接第一信號的第一焊盤；在所述第一晶圓上順次制作第一下重布線層和第一上重布線層，所述第一下重布線層包括連接所述第一焊盤的第一布線，所述第一上重布線層包括連接所述第一布線的第二布線，所述第二布線具有第一引線墊；將第二晶圓鍵合于所述第一上重布線層上，所述第二晶圓的上表面包括設置為連接第二信號且位置對應于所述第一焊盤的第二焊盤；對所述第二晶圓對應于所述第一引線墊的位置制作底部連接于所述第一引線墊的第一硅通孔。本公開提供的晶圓堆疊方法可以提高具有堆疊結構的芯片的制造良品率。

本發明授權晶圓堆疊方法與晶圓堆疊結構在權利要求書中公布了：1.一種晶圓堆疊方法，其特征在于， 包括： 提供第一晶圓，所述第一晶圓的上表面包括設置為連接第一信號的第一焊盤； 在所述第一晶圓上順次制作第一下重布線層和第一上重布線層，所述第一下重布線層包括連接所述第一焊盤的第一布線，所述第一上重布線層包括連接所述第一布線的第二布線，所述第二布線具有第一引線墊； 先將第二晶圓鍵合于所述第一上重布線層上，所述第二晶圓的上表面包括設置為連接第二信號且位置對應于所述第一焊盤的第二焊盤； 再對所述第二晶圓對應于所述第一引線墊的位置制作底部連接于所述第一引線墊的第一硅通孔； 所述制作底部連接于所述第一引線墊的第一硅通孔包括： 在所述第二晶圓對應于所述第一引線墊的位置制作貫通孔，所述貫通孔的底部露出所述第一引線墊； 填充導電材料于所述貫通孔，所述導電材料包括金屬； 在制作所述貫通孔的過程中，同時制作用于形成第二下重布線層的凹槽； 在所述第二晶圓上順次制作第二下重布線層和第二上重布線層，所述第二下重布線層中包括連接于所述第一硅通孔的第三布線和連接于所述第二焊盤的第四布線，所述第二上重布線層中包括連接所述第三布線的第五布線和連接所述第四布線的第六布線，所述第五布線、所述第六布線分別包括第二引線墊和第三引線墊。

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