東京毅力科創(chuàng)株式會社稻富弘朗獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利基片處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN109585336B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201811139512.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/67;該發(fā)明授權(quán)基片處理裝置是由稻富弘朗;中村徹;木本晃司;青山義尚設(shè)計研發(fā)完成,并于2018-09-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本基片處理裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種基片處理裝置,其包括運送區(qū)塊和多個處理區(qū)塊。運送區(qū)塊配置有用于運送基片的運送裝置。多個處理區(qū)塊與運送區(qū)塊相鄰配置,處理由運送裝置運送的基片。另外,各處理區(qū)塊包含一個液處理組件和一個干燥組件。液處理組件進(jìn)行在基片的上表面形成液膜的液膜形成處理。干燥組件進(jìn)行超臨界干燥處理,超臨界干燥處理通過使液膜形成處理后的基片與超臨界狀態(tài)的處理流體接觸,使液膜形成處理后的基片干燥。而且,同一個處理區(qū)塊包含的液處理組件和干燥組件相對于運送區(qū)塊的運送裝置的移動方向配置在相同側(cè)。本發(fā)明能夠最優(yōu)化包含液處理和超臨界干燥處理的一系列基片處理。
本發(fā)明授權(quán)基片處理裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基片處理裝置,其特征在于,包括: 運送區(qū)塊,其配置有用于運送基片的運送裝置;和 多個處理區(qū)塊,其與所述運送區(qū)塊相鄰配置,處理由所述運送裝置運送的基片, 各處理區(qū)塊包含一個液處理組件和一個干燥組件, 所述液處理組件進(jìn)行在所述基片的上表面形成液膜的液膜形成處理, 所述干燥組件進(jìn)行超臨界干燥處理,所述超臨界干燥處理通過使所述液膜形成處理后的基片與超臨界狀態(tài)的處理流體接觸,使所述液膜形成處理后的基片干燥, 同一個所述處理區(qū)塊包含的所述液處理組件和所述干燥組件,相對于所述運送區(qū)塊的所述運送裝置的移動方向配置在相同側(cè), 所述干燥組件包括: 進(jìn)行所述超臨界干燥處理的處理區(qū)域;和 在所述運送區(qū)塊與所述處理區(qū)域之間交接所述基片的交接區(qū)域, 所述處理區(qū)域和所述交接區(qū)域沿所述運送區(qū)塊排列, 所述基片處理裝置包括: 高壓用的第一排氣路徑,其從所述處理區(qū)域排出所述超臨界狀態(tài)的處理流體;和 對所述交接區(qū)域進(jìn)行排氣的常壓用的第二排氣路徑。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會社,其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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