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龍圖騰網獲悉日月光半導體制造股份有限公司申請的專利功率放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110661498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810952869.4，技術領域涉及：H03F3/21；該發明授權功率放大器是由丁兆明設計研發完成，并于2018-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率放大器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種功率放大器電路。所述功率放大器電路包含壓控電流源和電流鏡。所述壓控電流源被配置成接收第一電壓且產生第一電流。所述電流鏡連接到所述壓控電流源且響應于所述第一電流而產生第二電流。隨著所述第一電壓從0V連續地改變到約1V，所述第二電流從0mA連續地改變到約120mA。

本發明授權功率放大器在權利要求書中公布了：1.一種功率放大器電路，其包括： 壓控電流源，其被配置成接收第一電壓且產生第一電流；以及 電流鏡，其連接到所述壓控電流源，且被配置成響應于所述第一電流而產生第二 電流， 其中所述壓控電流源進一步包括電流產生裝置，其被配置成產生與所述第一電壓的平方成正比的第三電流， 所述第一電流與所述第一電壓的所述平方成正比， 所述電流產生裝置包含放大器、第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器、第四電阻器、第一場效應電晶體FET、第二FET和第三FET， 所述第一FET包含連接到所述第二FET的漏極的漏極、連接到所述第二FET的柵極的柵極和被配置成提供所述第三電流的源極， 所述第一電阻器連接到所述第一電壓和所述放大器的正輸入端，所述第二電阻器連接到所述放大器的所述正輸入端，所述第三電阻器連接到所述放大器的負輸入端和接地，且所述第四電阻器連接到所述放大器的所述負輸入端和所述第二FET的源極， 所述第二FET的所述柵極連接到所述第三FET的源極，所述第二FET的所述漏極連接到第二電壓、所述第一FET的所述漏極和所述第三FET的漏極，所述第三FET的柵極連接到所述放大器的輸出端，且所述第一FET的所述柵極連接到所述第三FET的所述源極，且 所述電流鏡包含第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的基極連接到所述第三FET的所述源極，所述第一晶體管的發射極連接到所述第二晶體管的基極，所述第一晶體管的集電極連接到所述第二電壓，所述第二晶體管的集電極連接到所述第一FET的所述源極和所述第二電阻器，且所述第二晶體管的所述發射極接地。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號郵編81170；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。