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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島海存微電子有限公司申請的專利半導(dǎo)體存儲器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120264768B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510724246.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B61/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲器件及其形成方法是由熊丹榮;商顯濤;盧世陽;孫慧巖;馬曉姿;張超;劉宏喜;王戈飛設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體存儲器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體存儲器件及其形成方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲器件中抗磁能力與面積利用率無法同時提高的問題。該半導(dǎo)體存儲器件，包括自旋軌道矩層以及設(shè)置于自旋軌道矩層上的第一磁隧道結(jié)、第二磁隧道結(jié)和間隔層；第二磁隧道結(jié)設(shè)置于第一磁隧道結(jié)的貫穿性開口中，間隔層填充于第一磁隧道結(jié)和第二磁隧道結(jié)之間的空隙，第一磁隧道結(jié)環(huán)繞在第二磁隧道結(jié)外側(cè)，大大提高了第二磁隧道結(jié)的抗磁干擾能力；并且，第一磁隧道結(jié)遠(yuǎn)離間隔層的側(cè)壁合圍形成的圖形為圓形或者凸多邊形，且第一磁隧道結(jié)與間隔層的幾何中心不重合，使第一磁隧道結(jié)還可用于實現(xiàn)無場翻轉(zhuǎn)和多態(tài)存儲，同步提高了半導(dǎo)體存儲器件的面積利用率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲器件，其特征在于，包括自旋軌道矩層以及設(shè)置于所述自旋軌道矩層上的第一磁隧道結(jié)、第二磁隧道結(jié)和間隔層； 所述第一磁隧道結(jié)設(shè)置一貫穿性開口，所述第二磁隧道結(jié)設(shè)置于所述貫穿性開口中，且所述間隔層填充于所述第一磁隧道結(jié)和所述第二磁隧道結(jié)之間的空隙； 其中，所述第一磁隧道結(jié)遠(yuǎn)離所述間隔層的側(cè)壁合圍形成的圖形為圓形或者凸多邊形，所述第一磁隧道結(jié)與所述間隔層的幾何中心不重合。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人青島海存微電子有限公司，其通訊地址為：266404 山東省青島市黃島區(qū)映山紅路117號1棟1605室(原黃島區(qū)科教二路117號1棟研發(fā)中心辦公室)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。