買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120091503B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510560786.0，技術領域涉及：H05K3/06；該發(fā)明授權一種通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)是由郭祝;習艷軍;陳勇樹設計研發(fā)完成，并于2025-04-30向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，涉及半導體制造技術領域，該方法包括：從預設厚度比范圍中選取表征通孔深度與刻蝕阻擋層之間厚度比例關系的目標厚度比，基于通孔深度及目標厚度比確定刻蝕阻擋層厚度；基于每一層薄膜對應的層厚權重，確定待生成的多層薄膜堆疊結構中除刻蝕阻擋層外的其他薄膜層的厚度；按照每個薄膜層的厚度生成多層薄膜堆疊結構；在高壓深孔隔離工藝下，按照介電層與輔助刻蝕停止層之間的高刻蝕選擇比，對多層薄膜堆疊結構進行刻蝕，以生成多層薄膜堆疊結構的通孔。通過采用上述通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，解決了在高壓深孔隔離工藝下，器件的導電性和可靠性低的問題。

本發(fā)明授權一種通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)在權利要求書中公布了：1.一種通孔生成方法，其特征在于，包括： 從預設厚度比范圍中選取表征通孔深度與刻蝕阻擋層之間厚度比例關系的目標厚度比，基于所述通孔深度及所述目標厚度比確定刻蝕阻擋層厚度； 基于每一層薄膜對應的層厚權重，確定待生成的多層薄膜堆疊結構中除所述刻蝕阻擋層外的其他薄膜層的厚度； 按照每個薄膜層的厚度生成多層薄膜堆疊結構，所述多層薄膜堆疊結構包括順序沉積的刻蝕停止層、刻蝕阻擋層及介電層，所述刻蝕阻擋層是通過化學沉積方法生成的氮氧化硅層，所述刻蝕阻擋層兼具二氧化硅的絕緣性和氮化硅的阻擋性； 在高壓深孔隔離工藝下，按照所述介電層與所述刻蝕阻擋層之間的高刻蝕選擇比，對所述多層薄膜堆疊結構進行刻蝕，以生成所述多層薄膜堆疊結構的通孔； 所述基于所述通孔深度及所述目標厚度比確定刻蝕阻擋層厚度，包括： 將所述通孔深度與所述目標厚度比的比值，確定為刻蝕阻擋層厚度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.gztjhr.cn/list?keyword=%E7%B2%A4%E8%8A%AF%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%8A%80%E6%9C%AF%E8%82%A1%E4%BB%BD%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">粵芯半導體技術股份有限公司，其通訊地址為：510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)鳳凰五路28號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。