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龍圖騰網獲悉深圳市沃芯半導體技術有限公司申請的專利垂直疊裝電源模塊結構及其制作方法、設備、介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767518B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510265409.4，技術領域涉及：H05K1/02；該發明授權垂直疊裝電源模塊結構及其制作方法、設備、介質是由戴維菁;敖思鴻;邱亮明;林升標設計研發完成，并于2025-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直疊裝電源模塊結構及其制作方法、設備、介質在說明書摘要公布了：本申請公開了一種垂直疊裝電源模塊結構及其制作方法、設備、介質，垂直疊裝電源模塊結構包括芯片、PCB框架層、電感結構、及PCB線路層，電感結構埋嵌入PCB框架層中，芯片貼裝于PCB線路層頂部；電感結構包括電感繞組、磁體和金屬框架，其中，磁體包裹電感繞組，以形成長方體電感主體，金屬框架覆蓋于長方體電感主體多個外側面以形成磁屏蔽層；PCB線路層位于PCB框架層的頂部和底部，由介質層、銅導電層、銅通孔、及阻焊層組成。PCB框架層的介質層在與其相鄰的銅導電層與電感結構的繞組端子對應位置設置有銅通孔，且在與其相鄰的銅導電層與電感結構的金屬框架對應位置設置有銅通孔。通過設計電感屏蔽層和PCB通孔結構，實現電磁屏蔽和散熱增強。

本發明授權垂直疊裝電源模塊結構及其制作方法、設備、介質在權利要求書中公布了：1.一種垂直疊裝電源模塊結構，其特征在于，包括：芯片、PCB框架層、電感結構及PCB線路層，所述電感結構埋嵌入所述PCB框架層中，所述PCB線路層覆蓋于PCB框架層的頂部和底部，并組成PCB整體，所述芯片貼裝于所述PCB整體頂部； 所述電感結構包括電感繞組、磁體和金屬框架，其中，所述磁體包裹所述電感繞組，以形成長方體電感主體，所述金屬框架覆蓋于所述長方體電感主體多個外側面以形成磁屏蔽層； 所述PCB線路層由內向外設置有介質層、銅導電層、阻焊層； 所述阻焊層位于PCB線路層最外層，以形成與芯片引腳相符的焊盤圖案； 所述介質層在與其相鄰的銅導電層與電感結構的繞組端子對應位置設置有銅通孔，以便所述繞組端子與所述銅導電層形成電氣互聯并增強散熱； 所述介質層在與其相鄰的銅導電層與電感結構的磁屏蔽層對應位置設置有銅通孔，以便所述磁屏蔽層與所述銅導電層之間增強散熱； 用于形成磁屏蔽層的所述金屬框架為薄片型，所述金屬框架包括多片金屬薄片，其中，每片所述金屬薄片分別覆蓋所述長方體電感主體的一個外側面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市沃芯半導體技術有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道平山社區留仙大道4168號眾冠時代廣場A座41層4102；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。