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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種復合多層憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119522036B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510080307.5，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種復合多層憶阻器及其制備方法是由白永慶;薛飛;俞濱設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種復合多層憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種復合多層憶阻器及其制備方法，本發明的復合多層憶阻器設有具有陣列化通孔的活性電極調制層，使得活性電極層原子在穿過功能層前，預先經活性電極調制層進行了活性電極的陣列化優化，實現了導電細絲形成位點的陣列化調控，因此顯著提升了憶阻器的均一性和穩定性。不同于專門的活性電極陣列化制備工藝，本方法通過調控功能層的制備工藝，可直接實現功能層和活性電極調制層的連續制備，無需復雜的制備工藝，成本低廉，可大規模制備。

本發明授權一種復合多層憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種復合多層憶阻器，其特征在于，包括基底層以及在基底層上依次形成的惰性電極層、功能層、活性電極調制層、活性電極層， 所述功能層和活性電極調制層均為氧化物材料，所述活性電極調制層具有陣列化的通孔，所述活性電極層具有沿所述通孔延伸到所述功能層的連接點； 所述功能層的厚度為8~12nm；所述活性電極調制層的厚度為3~8nm； 所述復合多層憶阻器的制備方法，包括以下步驟： （1）清洗基底層材料； （2）在基底層表面沉積粘附層； （3）在粘附層表面沉積惰性電極層； （4）在惰性電極層表面生長功能層； （5）在功能層表面生長活性電極調制層； （6）在活性電極調制層表面沉積活性電極層； （7）在活性電極層表面沉積電極保護層； 其中，步驟（4）中，依次循環通入用于形成功能層的前驅體和氧源反應氣體，以實現功能層氧化物材料的逐層生長；步驟（5）中，依次循環通入用于形成活性電極調制層的前驅體和氧源反應氣體，以實現活性電極調制層氧化物材料的逐層生長；用于形成活性電極調制層的前驅體和氧源反應氣體的摩爾比不高于用于形成功能層的前驅體和氧源反應氣體的摩爾比，且生長活性電極調制層時的溫度低于生長功能層時的溫度，從而使得生長形成的所述活性電極調制層具有陣列化的通孔，而沉積形成的所述活性電極層具有沿所述通孔延伸到所述功能層的連接點。

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