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龍圖騰網獲悉瑤芯微(上海)電子科技股份有限公司申請的專利一種應用于全橋功率模塊的封裝結構和三相電機控制板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119905489B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510056110.8，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權一種應用于全橋功率模塊的封裝結構和三相電機控制板是由吳興誠設計研發完成，并于2025-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種應用于全橋功率模塊的封裝結構和三相電機控制板在說明書摘要公布了：本發明提供一種應用于全橋功率模塊的封裝結構和三相電機控制板，改進了全橋功率模塊的引腳結構，實現將六個MOS芯片進行平鋪以降低占用PCB板的面積的同時，還可以通過設置的第一引腳、第二引腳和第三引腳實現對電壓電流等參數狀態的有效監測，將下橋臂內的第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片設置源極引腳，從而能夠防止電路開啟和關斷過程中發生的電壓串擾，并且將下橋臂內的第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片的源極還與對應的電源負極引腳連接，然后再將電源負極引腳通過內部引線連接，從而降低了引線的復雜度，此外，該封裝結構的體積較小，有利于減小全橋功率模塊和三相電機控制板的體積。

本發明授權一種應用于全橋功率模塊的封裝結構和三相電機控制板在權利要求書中公布了：1.一種應用于全橋功率模塊的封裝結構，其特征在于，包括基板、沿基板四周設置的多個引腳以及設于所述基板上的第一基島、第二基島、第三基島、第四基島、第五基島和第六基島，其中，所述第一基島、所述第二基島和所述第三基島上分別焊接有第一MOS芯片、第二MOS芯片和第三MOS芯片，所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片構成全橋封裝功率模塊的上橋臂，所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片的柵極、源極和漏極通過打線的形式引出至所述基板上對應的引腳處，且與所述第一MOS芯片、所述第二MOS芯片和所述第三MOS芯片的漏極對應的引腳通過內部引線連接后，再與電源的正極連接，所述第四基島、所述第五基島和所述第六基島上分別焊接有第四MOS芯片、第五MOS芯片和第六MOS芯片，所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片構成全橋封裝功率模塊的下橋臂，所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片的柵極和源極通過打線的形式引出至所述基板上對應的引腳處，且所述第四MOS芯片、所述第五MOS芯片和所述第六MOS芯片的源極還與對應的電源負極引腳連接，且所述電源負極引腳通過內部引線連接，所述第四MOS芯片的漏極與電機的U相以及第一引腳連接、所述第五MOS芯片的漏極與電機的V相以及第二引腳連接、所述第六MOS芯片的漏極與電機的W相以及第三引腳連接，通過所述第一引腳、所述第二引腳和所述第三引腳實現對全橋封裝功率模塊的電流和電壓的監控。

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