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      武漢國科光領(lǐng)半導(dǎo)體科技有限公司趙自闖獲國家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢國科光領(lǐng)半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種單片集成光發(fā)射芯片及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119742660B

      龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411939831.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01S5/40;該發(fā)明授權(quán)一種單片集成光發(fā)射芯片及其制作方法是由趙自闖;蔣晨龍設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-12-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

      一種單片集成光發(fā)射芯片及其制作方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種單片集成光發(fā)射芯片及其制作方法,涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域,該芯片包括襯底、無源波導(dǎo)層、第一激光器層、第二激光器層、調(diào)制器層、包層和接觸層,無源波導(dǎo)層通過按照預(yù)定的圖案刻蝕形成,包括兩個輸入分支和一個輸出分支,第一激光器層設(shè)置在其中一個輸入分支上,第二激光器層及調(diào)制器層設(shè)置在另一個光信號輸入分支上,其中,兩個輸入分支的路徑耦合到輸出分支的路徑中,兩個激光器層上設(shè)置光柵,包層及接觸層設(shè)置在這些功能層上方;本申請在芯片中集成了兩種不同的激光器層,并通過預(yù)定圖案的無源波導(dǎo)層對不同激光器層發(fā)射的光信號進行合波輸出,本申請中的技術(shù)方案有效降低了光發(fā)射模塊的成本,減少功耗,提高產(chǎn)品可靠性。

      本發(fā)明授權(quán)一種單片集成光發(fā)射芯片及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種單片集成光發(fā)射芯片的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 步驟1,準備襯底(10),在襯底(10)上生長無源波導(dǎo)材料,并按照預(yù)定圖案對無源波導(dǎo)材料層進行刻蝕,形成無源波導(dǎo)層(30),所述無源波導(dǎo)層(30)包括第一輸入分支、第二輸入分支和輸出分支,在第一輸入分支所在區(qū)域劃分出第一激光器區(qū)及第一放大器區(qū),在第二輸入分支所在區(qū)域劃分出第二激光器區(qū)、調(diào)制器區(qū)及第二放大器區(qū),在輸出分支所在區(qū)域劃分出第三放大器區(qū); 步驟2,至少在第一輸入分支所在區(qū)域生長短波長量子阱材料層,選擇性去除第一激光器區(qū)及第一放大器區(qū)以外的其他區(qū)域的短波長量子阱材料,形成第一激光器層(40)及第一放大器層(71); 步驟3,分別在第二激光器區(qū)及第二放大器區(qū)的兩側(cè)制作特定間距的選擇區(qū)域外延掩膜對,然后至少在第二輸入分支及輸出分支所在區(qū)域生長長波長量子阱材料層,選擇性去除第二激光器區(qū)、調(diào)制器區(qū)、第二放大器區(qū)及第三放大器區(qū)以外的其他區(qū)域的長波長量子阱材料,形成第二激光器層(50)、調(diào)制器層(60)、第二放大器層(72)及第三放大器層(73); 其中,所述第二激光器區(qū)兩側(cè)的選擇區(qū)域外延掩膜對的長度與第二激光器區(qū)的長度相同,所述第二放大器區(qū)兩側(cè)的選擇區(qū)域外延掩膜對的長度與第二放大器區(qū)的長度相同,兩對選擇區(qū)域外延掩膜對的特定間距均滿足條件:調(diào)制器層(60)及第三放大器層(73)的發(fā)光波長比第二激光器層(50)及第二放大器層(72)的發(fā)光波長短30至100nm; 步驟4,在第一激光器層(40)及第二激光器層(50)上分別制作第一光柵層(41)及第二光柵層(51); 步驟5,在各個功能層上從下到上依次生長包層(80)及接觸層(90),使用掩膜覆蓋激光器區(qū)、放大器區(qū)及調(diào)制器區(qū)以外的其他區(qū)域的接觸層(90),并對未覆蓋區(qū)域的包層(80)及接觸層(90)進行p型摻雜。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人武漢國科光領(lǐng)半導(dǎo)體科技有限公司,其通訊地址為:430200 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流芳園橫路1號楚天傳媒生產(chǎn)基地二期1號樓1-2層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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