蘇州華太電子技術股份有限公司蘭金龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州華太電子技術股份有限公司申請的專利超結IGBT及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119342854B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411864647.9，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權超結IGBT及其制造方法是由蘭金龍;祁金偉設計研發完成，并于2024-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本超結IGBT及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種超結IGBT及其制造方法，其中，超結IGBT包括：漂移區；所述漂移區內形成有柱區，柱區的導電類型與漂移區的導電類型相反；柱區沿漂移區的厚度方向延伸，多個柱區在漂移區內并排且間隔設置；外延層，形成在漂移區的上表面；超結IGBT的中心部分作為元胞區，外圍部分作為終端區；所述外延層位于元胞區的部分形成有柵極結構；外延層位于終端區的部分設有終端環區，終端環區圍繞元胞區呈環狀；終端環區的導電類型與外延層的導電類型相反。本申請實施例提供的超結IGBT提高了終端區的承壓能力。
本發明授權超結IGBT及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種超結IGBT，其特征在于，包括： 漂移區；所述漂移區內形成有柱區，柱區的導電類型與漂移區的導電類型相反；柱區沿漂移區的厚度方向延伸，多個柱區在漂移區內并排且間隔設置； 外延層，形成在漂移區的上表面；超結IGBT的中心部分作為元胞區，外圍部分作為終端區；所述外延層位于元胞區的部分形成有柵極結構；外延層位于終端區的部分設有終端環區，終端環區圍繞元胞區呈圓角矩形的環狀；終端環區的導電類型與外延層的導電類型相反； 承壓區，形成在漂移區的下表面；承壓區的導電類型與漂移區的導電類型相同，承壓區的摻雜濃度小于漂移區的摻雜濃度；承壓區的厚度大于15μm，承壓區的摻雜濃度小于3E14。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州華太電子技術股份有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區星湖街328號創意產業園10棟1層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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