買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種氧化鎵增強型器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116705616B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310692146.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種氧化鎵增強型器件及其制作方法是由袁俊;徐少東;彭若詩;郭飛;王寬;魏強民;黃俊;楊冰;吳暢設計研發完成，并于2023-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氧化鎵增強型器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氧化鎵增強型器件及其制作方法，首先通過外延生長的方式，在氧化鎵襯底上依次生長N型氧化鎵外延層和P型氧化鎵外延層；然后通過光刻的方式，定義電流導通層的長度，接著通過自對準的方式形成源極和溝道長度，隨后通過離子注入的方式形成偏置區，最后在器件上表面和下表面分別沉積金屬并回火形成歐姆接觸，再源極、漏極金屬加厚分別形成接觸電極，最終構成平面氧化鎵增強型器件。本發明解決了氧化鎵半導體中無法通過離子注入形成有效P型摻雜而形成P?well制作MOSFET的技術難題。

本發明授權一種氧化鎵增強型器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種氧化鎵增強型器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1.在氧化鎵襯底上依次生長N型氧化鎵外延層和P型氧化鎵外延層； S2.在外延層表面涂抹光阻，光刻形成導通層的注入窗口，離子注入Si元素形成導通層，導通層底部與N型氧化鎵外延層接觸，注入完成后，去除光阻； S3.在外延層表面涂抹光阻并圖形化，形成源極注入區的窗口，離子注入Si元素形成源極注入區，源極注入區的深度大于導通層頂部離外延層表面的距離，導通層上方有部分源極注入區；注入完成后，去除光阻； S4.在外延層表面涂抹光阻并圖形化，在源極注入區上方形成偏置區的注入窗口，離子注入N或者Mg元素形成偏置區，注入完成后，去除光阻；然后在900～1200℃的氬氣氛圍中激活退火30～60min； S5.在外延層表面依次沉積Al2O3層和多晶硅，然后在多晶硅表面涂抹光阻并圖形化，刻蝕掉無光阻保護區的多晶硅和Al2O3層形成柵極，刻蝕完成后，去除光阻； S6.在外延層表面沉積歐姆接觸金屬，在襯底背面蒸鍍歐姆金屬，并在450～600℃的氮氣氛圍下退火1～5min，分別形成第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層； S7.在柵極表面沉積鈍化層； S8.在器件上表面和下表面分別沉積金屬，在上表面形成源極，在下表面形成漏極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。