廈門市三安集成電路有限公司王晶晶獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉廈門市三安集成電路有限公司申請的專利HEMT射頻器件的制作方法及HEMT射頻器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116313797B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310296750.7，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權HEMT射頻器件的制作方法及HEMT射頻器件是由王晶晶;鐘杰斌設計研發完成，并于2023-03-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本HEMT射頻器件的制作方法及HEMT射頻器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種HEMT射頻器件的制作方法，是在襯底上形成NiFe2O4材料層，然后對NiFe2O4材料層進行退火處理使NiFe2O4材料層形成若干磁致伸縮單元，所述磁致伸縮單元具有向上凸起的弧面，在其上生長包括氮化物異質結的HEMT外延材料層，然后制作源極、漏極和柵極。將具有弧面凸起的磁致伸縮單元應用于HEMT材料結構改進，磁致伸縮凸起單元在磁場作用下發生形變，對HEMT外延材料層施加應力，阻礙了溝道層勢壘層的晶格變形，保持氮化物異質結的動態電阻不變，有效抑制了電流崩塌效應，提升了器件的性能和穩定性。
本發明授權HEMT射頻器件的制作方法及HEMT射頻器件在權利要求書中公布了：1.一種HEMT射頻器件的制作方法，其特征在于，包括： 步驟1）于襯底上形成NiFe2O4材料層； 步驟2）于100~800℃的溫度下對NiFe2O4材料層進行退火處理，退火時間為15s~30min，退火后所述NiFe2O4材料層形成若干磁致伸縮單元，所述磁致伸縮單元具有向上凸起的弧面； 步驟3）于具有所述磁致伸縮單元的襯底上生長HEMT外延材料層，所述HEMT外延材料層包括氮化物異質結； 步驟4）于HEMT外延材料層上制作源極、漏極和柵極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門市三安集成電路有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道753-799號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號