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龍圖騰網獲悉西北工業大學申請的專利一種分段溫度補償帶隙基準電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116483155B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310272335.8，技術領域涉及：G05F1/567；該發明授權一種分段溫度補償帶隙基準電路是由黃炳鈞;黃少卿設計研發完成，并于2023-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種分段溫度補償帶隙基準電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種分段溫度補償帶隙基準電路，包括運放、偏置電流源、NMOS晶體管、PMOS晶體管、NPN晶體和電阻；本發明電路利用BJT管基射極電壓負溫度特性和NMOS管閾值電壓負溫度特性，通過合理設置分段點，對傳統基準溫度曲線進行分段溫度補償，實現高階溫度補償功能，得到更低溫度系數的帶隙基準輸出電壓，極大地提高了帶隙基準的溫度范圍。

本發明授權一種分段溫度補償帶隙基準電路在權利要求書中公布了：1.一種分段溫度補償帶隙基準電路，其特征在于，包括運放U1，偏置電流源I1，NMOS晶體管N1、N2、N3、N4，PMOS晶體管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7，NPN晶體管Q1、Q2、Q3、Q4，電阻R1、R2、R3； 所述PMOS晶體管P1的源極接電源VCC，柵極由偏置電壓Vb1供電，漏極同時與NPN晶體管Q1的集電極、基極以及NPN晶體管Q2的基極互連； 所述NPN晶體管Q1的發射極同時與NPN晶體管Q3的集電極和基極相連； 所述NPN晶體管Q3的發射極接地； 所述NPN晶體管Q2的發射極與電阻R1的一端相連，集電極同時與PMOS晶體管P2的柵極、漏極以及PMOS晶體管P3的柵極互連； 所述電阻R1的另一端接地； 所述PMOS晶體管P2的源極接電源VCC； 所述PMOS晶體管P3的源極接電源VCC，漏極與PMOS晶體管P4的源極相連； 所述PMOS晶體管P4的柵極和PMOS晶體管P7的柵極均由偏置電壓Vb2供電；PMOS晶體管P4的漏極同時與偏置電流源I1的第一輸入端、NMOS晶體管N1的源極、NMOS晶體管N3的漏極和柵極、NMOS晶體管N4的柵極互連； 所述偏置電流源I1的第二輸入端接地； 所述NMOS晶體管N1的柵極與NMOS晶體管N2的柵極相連，由偏置電壓Vb3供電，漏極與NMOS晶體管N2的漏極、PMOS晶體管P5的柵極與漏極、PMOS晶體管P6的柵極互連； 所述NMOS晶體管N3的源極接地； 所述NMOS晶體管N4的漏極與NMOS晶體管N2的源極相連，NMOS晶體管N4的源極接地； 所述PMOS晶體管P5的源極接電源VCC； 所述PMOS晶體管P6的源極接電源VCC，漏極與PMOS晶體管P7的源極相連； 所述PMOS晶體管P7的漏極同時與電阻R2的一端、電阻R3的一端、運放U1的正輸入端互連； 所述電阻R2的另一端同時與運放U1的負輸入端和輸出端互連； 所述電阻R3的另一端同時與NPN晶體管Q4的集電極和基極相連； 所述NPN晶體管Q4的發射極接地。

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