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龍圖騰網獲悉溫州大學申請的專利一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116153976B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310168924.1，技術領域涉及：H10D62/17；該發明授權一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管是由葉浩;汪鵬君;陳博;施一劍;李剛設計研發完成，并于2023-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管，包括源區、溝道區、漏區、柵介質層、襯底層、柵氧誘導層、金屬層和間隔層，溝道區為無摻雜溝道區，漏區為無摻雜漏區，金屬層包括按照從左到右順序間隔排布的第一金屬塊、第二金屬塊和第三金屬塊，第一金屬塊和第二金屬塊之間的間距為12nm，第二金屬塊和第三金屬塊之間的間距為10nm，第一金屬塊為場效應晶體管的主控柵極，第二金屬塊和第三金屬塊作為場效應晶體管的兩個誘導柵極，間隔層用于隔離將第一金屬塊與第二金屬塊和第三金屬塊隔離；優點是在構建多值邏輯單元時，不需要額外引入無源器件，且對摻雜波動和工藝波動不敏感，能夠提高多值邏輯單元性能穩定性。

本發明授權一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種具有三值邏輯行為的場效應晶體管，包括主體結構、柵介質層和襯底層，所述的主體結構包括從左到右分布在所述的襯底上且依次連接的源區、溝道區以及漏區，其特征在于所述的源區的材料為NiAl，所述的溝道區為無摻雜溝道區，采用砷化銦InAs材料實現，所述的漏區為無摻雜漏區，采用銦鋁砷InAlAs材料實現，所述的柵介質層層疊在所述的源區上方且延伸至所述的溝道區上方，所述的場效應晶體管還包括柵氧誘導層、金屬層和間隔層，所述的柵氧誘導層層疊在所述的漏區上方，且延伸至所述的溝道區上方與所述的柵介質層連接，所述的金屬層包括按照從左到右順序間隔排布的第一金屬塊、第二金屬塊和第三金屬塊，所述的第一金屬塊層疊在所述的柵介質層的上方，所述的第二金屬塊層疊在所述的柵氧誘導層的上方，所述的第三金屬塊層疊在所述的柵氧誘導層的上方，所述的第一金屬塊和所述的第二金屬塊之間的間距為12nm，所述的第二金屬塊和所述的第三金屬塊之間的間距為10nm，所述的第一金屬塊為所述的場效應晶體管的主控柵極，所述的第二金屬塊和所述的第三金屬塊作為所述的場效應晶體管的兩個誘導柵極，所述的第一金屬塊用于接入柵級電壓，所述的第二金屬塊和所述的第三金屬塊一方面用于在所述的溝道區和所述的漏區連接界面處產生隧穿結，另一方面用于在所述的柵氧誘導層誘導下實現所述的溝道區和所述的漏區的靜電摻雜，使所述的溝道區和所述的漏區無需化學摻雜，所述的間隔層用于隔離將所述的第一金屬塊與所述的第二金屬塊和所述的第三金屬塊隔離，避免所述的第一金屬塊接入的柵級電壓對所述的第二金屬塊和所述的第三金屬塊造成干擾。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人溫州大學，其通訊地址為：325000 浙江省溫州市甌海區東方南路38號溫州市國家大學科技園孵化器；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。