之江實驗室張苗苗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉之江實驗室申請的專利具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件及其制備方法、半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115995510B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310092618.4，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件及其制備方法、半導體器件是由張苗苗;玉虓;韓根全設計研發完成，并于2023-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件及其制備方法、半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件及其制備方法、半導體器件。該制備方法包括：提供硅晶圓，硅晶圓包括依次層疊設置的硅頂層、掩埋氧化物層及硅基底層；將硅晶圓進行刻蝕，刻蝕方向為由硅頂層向掩埋氧化物層的垂直方向，得到具有凹槽的結構化復合襯底，凹槽包括貫穿硅頂層的第一凹槽，以及由第一凹槽延伸至掩埋氧化物層內部形成的第二凹槽，第二凹槽的深度小于掩埋氧化物層厚度；將結構化復合襯底在碳納米材料、鎵源及氧源環境條件下進行化學氣相沉積，使鎵源在第一凹槽內沉積生長，得到具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件。該制備方法使硅晶圓器件中氧化鎵納米結構形成高效電子傳輸通道，同時降低結晶層產生，避免電子在結晶層傳輸。
本發明授權具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件及其制備方法、半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟： 提供硅晶圓，所述硅晶圓包括依次層疊設置的硅頂層、掩埋氧化物層以及硅基底層； 將所述硅晶圓進行刻蝕，刻蝕方向為由硅頂層向掩埋氧化物層的垂直方向，得到具有凹槽的結構化復合襯底，其中，所述凹槽包括貫穿所述硅頂層的第一凹槽，以及由所述第一凹槽延伸至所述掩埋氧化物層內部形成的第二凹槽，且所述第二凹槽的深度小于掩埋氧化物層的厚度； 將所述結構化復合襯底在碳納米材料、鎵源以及氧源環境的條件下進行化學氣相沉積，使所述鎵源在所述第一凹槽內沉積生長，得到具有氧化鎵納米結構的硅晶圓器件，所述碳納米材料選自納米金剛石、碳納米管中的至少一種，所述鎵源選自氧化鎵粉末。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人之江實驗室，其通訊地址為：311121 浙江省杭州市余杭區之江實驗室南湖總部；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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