中國人民解放軍國防科技大學羅鳴宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種中紅外探測結構及多波段可調的吸波結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115826110B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211273278.7，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權一種中紅外探測結構及多波段可調的吸波結構是由羅鳴宇;楊俊波;張振榮設計研發完成，并于2022-10-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種中紅外探測結構及多波段可調的吸波結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種中紅外探測結構，包括由下往上依次層疊的硅層、金層、氧化鋁層和金陣列層，所述金陣列層上開設有周期性分布的狹縫，所述狹縫將金陣列層分割成多個周期陣列的長方形金陣元，所述金陣列層沿陣列方向的兩端設有半個狹縫，所述狹縫用于泄露金陣列層和氧化鋁層激發的表面等離激元共振產生的局部能量，以平衡整個探測結構的吸收率輻射率，所述氧化鋁層作為一個電容器，通過調整氧化鋁層的厚度和長方形金陣元的陣列周期的來紅移吸收峰；本發明提供的中紅外探測結構的尺寸小，厚度薄，結構簡單，能實現更微小化的加工，更利于實際工業生產中的集成化組裝。
本發明授權一種中紅外探測結構及多波段可調的吸波結構在權利要求書中公布了：1.一種中紅外探測結構，其特征在于：包括由下往上依次層疊的硅層、金層、氧化鋁層和金陣列層，所述金陣列層上開設有周期性分布的狹縫，所述狹縫將金陣列層分割成多個周期陣列的長方形金陣元，所述金陣列層沿陣列方向的兩端設有半個狹縫，所述狹縫用于泄露金陣列層和氧化鋁層激發的表面等離激元共振產生的局部能量，以平衡整個探測結構的吸收率輻射率，所述氧化鋁層作為一個電容器，通過調整氧化鋁層的厚度和長方形金陣元的陣列周期的來紅移吸收峰； 在3-5μm和8-12μm分別有一個吸收峰； 所述硅層和氧化鋁層通過射頻濺射獲得，金層通過直流濺射獲得； 從下往上分別為：硅層的厚度為100nm，金層的厚度為50nm，氧化鋁層的厚度為20nm，金陣列層的厚度為50nm，長方形金陣元的寬度為2μm，所述長方形金陣元的陣列周期為2.1μm，所述狹縫的寬度為100nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410003 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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