蘇州紫燦科技有限公司岳金順獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州紫燦科技有限公司申請的專利一種提高出光效率的深紫外LED獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483326B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211148690.6，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權一種提高出光效率的深紫外LED是由岳金順;陳景文;張駿;張毅設計研發完成，并于2022-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種提高出光效率的深紫外LED在說明書摘要公布了：本專利公開了一種提高出光效率的深紫外LED，包括依次層疊設置的增透層、藍寶石襯底、N型半導體層、發光層和P型半導體層；藍寶石襯底遠離N型半導體層一側表面刻蝕成核區圖案，沉積增透層，然后采用激光退火工藝，使增透層達到熔融狀態，并基于成核區圖案自組裝形成若干半球狀或半橢球狀的凝聚體。本發明通過薄膜材料的自組裝半球形，無需納米壓印、光刻、等離子體刻蝕等復雜圖形化工藝流程，可以大幅提高深紫外LED的背面出光效率。
本發明授權一種提高出光效率的深紫外LED在權利要求書中公布了：1.一種提高出光效率的深紫外LED，其特征在于，包括依次層疊設置的增透層、藍寶石襯底、N型半導體層、發光層和P型半導體層； 所述藍寶石襯底遠離N型半導體層一側表面設有成核區圖案，所述成核區圖案由若干十字形凹槽陣列排布而成，所述增透層由若干半球狀或半橢球狀的凝聚體陣列排布而成，每一所述凝聚體均對應填充于一所述十字形凹槽中； 所述藍寶石襯底遠離N型半導體層一側表面刻蝕成核區圖案，沉積增透層，然后采用激光退火工藝，使增透層達到熔融狀態，并基于成核區圖案自組裝形成若干凝聚體；所述增透層中若干凝聚體的投影面積之和與所述藍寶石襯底的面積之比大于20%； 所述成核區圖案中若干十字形凹槽以三角形周期陣列形式排布，相鄰所述十字形凹槽之間的中心間距為200~500μm； 所述成核區圖案中每一十字形凹槽均由第一凹槽部和第二凹槽部組成，且所述第一凹槽部和第二凹槽部垂直相交；所述第一凹槽部和第二凹槽部的長度為200~500μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州紫燦科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區黎里鎮城司路158號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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