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龍圖騰網獲悉蘇州大學申請的專利一種基于負阻技術的高增益運放電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116232234B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211095646.3，技術領域涉及：H03F1/02；該發明授權一種基于負阻技術的高增益運放電路是由白春風;潘成生設計研發完成，并于2022-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于負阻技術的高增益運放電路在說明書摘要公布了：本發明公開的一種基于負阻技術的高增益運放電路，包括輔助運算放大器A、多個P型MOS管與多個N型MOS管、電流源IB1與電流源IB2；多個P型MOS管分別記為PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3；多個N型MOS管分別記為NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4；所述電流源IB1的輸入端與所述電流源IB2的輸入端均連接電源電壓，PMOS管P1的源極與PMOS管P2的源極連接后，并一同連接至電流源IB1輸出端，所述PMOS管P1的漏極連接NMOS管N3的漏極。

本發明授權一種基于負阻技術的高增益運放電路在權利要求書中公布了：1.一種基于負阻技術的高增益運放電路，包括：輔助運放A、多個P型MOS管與多個N型MOS管、電流源IB1與電流源IB2；其特征在于， 多個P型MOS管分別記為PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3；多個N型MOS管分別記為NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4； 所述電流源IB1的源端與所述電流源IB2的源端均連接電源電壓，PMOS管P1的源極與PMOS管P2的源極連接后，并一同連接至電流源IB1的輸出端，所述PMOS管P1的漏極連接NMOS管N3的漏極，并連接NMOS管N1、N2的柵極； PMOS管P2的漏極連接PMOS管P3的源極，PMOS管P3的漏極連接NMOS管N2的漏極，并連接輔助運放A的同相輸入端，NMOS管N1、N2的源極連接NMOS管N4的源極，并一同接地，NMOS管N4的柵極連接NMOS管N2的漏極，NMOS管N4的漏極連接至電流源IB2的輸出端； NMOS管N3的柵極連接輔助運放A的輸出端，NMOS管N3的源極連接NMOS管N1的漏極，并一同連接輔助運放A的反相輸入端； PMOS管P1的柵極連接至電壓輸入端Vinn，PMOS管P2的柵極連接至電壓輸入端Vinp，PMOS管P3的柵極接地。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215137 江蘇省蘇州市相城區濟學路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。