西安交通大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所張國和獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安交通大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利基于碳納米管的三端記憶晶體管及其制備方法和使用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115241375B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210880092.1，技術領域涉及：H10K10/46；該發明授權基于碳納米管的三端記憶晶體管及其制備方法和使用方法是由張國和;宮晨蓉;劉佳;俞宙;陳琳設計研發完成，并于2022-07-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于碳納米管的三端記憶晶體管及其制備方法和使用方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于碳納米管的三端記憶晶體管及其制備方法和使用方法，包括襯底，襯底上設置有半導體溝道，半導體溝道上設置有源電極和漏電極，在源電極和漏電極上及半導體溝道位于源電極和漏電極之間的區域設置有電介質層，電介質層上設置有柵電極；源電極遠離半導體溝道的一側面及漏電極遠離半導體溝道的一側面全部被電介質層覆蓋，所述源電極和漏電極通過半導體溝道相連接；所述半導體溝道的材料為半導體型碳納米管。本發明可以通過不同方式模擬異突觸可塑性。
本發明授權基于碳納米管的三端記憶晶體管及其制備方法和使用方法在權利要求書中公布了：1.基于碳納米管的三端記憶晶體管的使用方法，其特征在于，所述基于碳納米管的三端記憶晶體管包括襯底（1），襯底（1）上設置有半導體溝道（2），半導體溝道（2）上設置有源電極（3）和漏電極（4），在源電極（3）和漏電極（4）上及半導體溝道（2）位于源電極（3）和漏電極（4）之間的區域設置有電介質層（5），電介質層（5）上設置有柵電極（6）；源電極（3）遠離半導體溝道（2）的一側面及漏電極（4）遠離半導體溝道（2）的一側面全部被電介質層（5）覆蓋；所述半導體溝道（2）的材料為半導體型碳納米管，所述電介質層（5）的材料為高k金屬氧化物； 使用方法為： 漏電極（4）作為突觸前神經元，源電極3視為突觸后神經元，柵電極6視為異突觸神經元，電介質層（5）的阻值狀態作為突觸權重，在漏電極（4）施加電脈沖，調整電介質層（5）阻值，模擬異突觸可塑性； 或者，將柵電極（6）作為突觸前神經元，源電極漏電極作為異突觸神經元，半導體溝道的電導作為突觸權重，在柵電極（6）施加電脈沖，能模擬突觸權重的更新。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所，其通訊地址為：710049 陜西省西安市咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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