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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利背面光耦合超導納米線單光子探測器件、制備及測試裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110726484B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911088568.2，技術領域涉及：G01J11/00；該發明授權背面光耦合超導納米線單光子探測器件、制備及測試裝置是由李浩;周后榮;尤立星;王鎮設計研發完成，并于2019-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本背面光耦合超導納米線單光子探測器件、制備及測試裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種背面光耦合超導納米線單光子探測器件、制備及測試裝置，背面光耦合超導納米線單光子探測器件包括器件光敏區域及定位環。測試裝置包括封裝件及套管，背面光耦合超導納米線單光子探測器件固定于封裝件中，并通過套管與封裝件及光纖插頭的連接，使得光纖插頭的中心與背面光耦合超導納米線單光子探測器件的中心位于同一垂線上。本發明制備具有特殊形貌的背面光耦合超導納米線單光子探測器件并與測試裝置配合應用，實現高穩定性的自對準光耦合；且利用μm級的標記刻度尺，結合光學顯微鏡可以直接量化對光誤差，使得對光誤差控制在μm量級。

本發明授權背面光耦合超導納米線單光子探測器件、制備及測試裝置在權利要求書中公布了：1.一種背面光耦合超導納米線單光子探測器件，其特征在于，所述背面光耦合超導納米線單光子探測器件包括： 器件光敏區域； 定位環，所述定位環包括至少一個定位環開口，所述定位環貫穿所述背面光耦合超導納米線單光子探測器件，且所述定位環位于所述器件光敏區域的外圍； 所述器件光敏區域的中心包括標記刻度尺，通過所述標記刻度尺將對光精度量化； 所述定位環的中心與所述器件光敏區域的中心位于同一垂線上； 所述背面光耦合超導納米線單光子探測器件的制備方法包括以下步驟： 提供襯底，所述襯底包括第一表面及與所述第一表面對應設置的第二表面； 于所述襯底的第一表面上形成超導納米線； 于所述襯底的第一表面上形成金屬反射鏡光學腔； 于所述襯底的第二表面上形成光刻膠，圖形化所述光刻膠，且以圖形化的所述光刻膠作為掩膜，進行刻蝕，形成定位環； 所述標記刻度尺在形成所述超導納米線的同時形成，且所述標記刻度尺顯露于所述金屬反射鏡光學腔，以通過所述標記刻度尺將對光精度量化。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區長寧路865號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。